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替代AON6756-半導(dǎo)體n mos管
參考價 | ¥ 1000 |
訂貨量 | ≥1個 |
- 公司名稱 蘇州華鎂憶芯半導(dǎo)體有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2022/4/22 9:18:58
- 訪問次數(shù) 319
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子,交通,電氣 |
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通道類型 | N | VX | 15-35-70-46-070 |
替代AON6756應(yīng)用電動扳手n mos管工藝
AON6756晶圓測試晶圓經(jīng)過劃片工藝后,表面上會形成一道一道小格,每個小格就是一個晶片或晶粒(Die),即一個獨立的集成電路。在一般情況下,一個晶圓上制作的晶片具有相同的規(guī)格,但是也有可能在同一個晶圓上制作規(guī)格等級不同的晶片。晶圓測試要完成兩個工作:一是對每一個晶片進(jìn)行驗收測試,通過針測儀器(Probe)檢測每個晶片是否合格,不合格的晶片會被標(biāo)上記號,以便在切割晶圓的時候?qū)⒉缓细窬Y選出來;二是對每個晶片進(jìn)行電氣特性(如功率等)檢測和分組,并作相應(yīng)的區(qū)分標(biāo)記。
AON6756雖然,在每個封裝加工流程,都有一定的工藝控制方法和質(zhì)量監(jiān)測手段,但是仍然會有一些難以控制的缺陷被引入到產(chǎn)品中去。所以當(dāng)產(chǎn)品完成封裝后,需要邊過測試來鑒定產(chǎn)品的質(zhì)最. 就測試項目和測試方法來說.Wafer Sorting 與Final Test 的區(qū)別并不大,但是最終測試在整個生產(chǎn)加工流程的后一步,對產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)的作用更為重要。
替代AON6756常見問題
AON6756本二級管故障:不同的拓?fù)浜碗娐分?,MOS管具有不同的作用。例如,在LLC中,體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù),因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結(jié)合自身電路來分析。
例
鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用
一般情況下,MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài),不用考慮MOS的開關(guān)速度,會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點:
1,注意DS電壓,設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作電流與保護(hù)電流,經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3,多顆MOS并聯(lián),電流的余量盡量再大一點。
4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內(nèi)阻。
5,驅(qū)動電壓要了解,盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài),對于單片機(jī)驅(qū)動的方案,盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型,BVDDS ,ID導(dǎo)通電流,VGS(th),RDSON這幾項參數(shù)。
公司介紹
華鎂公司,為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團(tuán)隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(jī)(個人計算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊合作”理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。
替代AON6756應(yīng)用電動扳手n mos管封裝
AON6756SO-8內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)
AON6756這四種限制對其電學(xué)和熱學(xué)性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高,MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規(guī)格時,同步對焊線互連形式進(jìn)行了改進(jìn),用金屬帶、或金屬夾板代替焊線,以降低封裝電阻、電感和熱阻。
AON6756增加漏極散熱板
AON6756標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍,低熱阻的熱傳導(dǎo)通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導(dǎo)體,故而影響了漏極的散熱。
AON6756技術(shù)改進(jìn)就是要除去引線框下方的塑封化合物,方法是讓引線框金屬結(jié)構(gòu)直接或加一層金屬板與PCB接觸,并焊接到PCB焊盤上,這樣就提供了更多的散熱接觸面積,把熱量從芯片上帶走;同時也可以制成更薄的器件。
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