替代AON6590-半導(dǎo)體效應(yīng)管

替代AON6590應(yīng)用無人機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管工藝
AON6590由于溝槽側(cè)壁晶向（110）與溝槽底面的晶向（100）不同、硅原子密度不同，若采用傳統(tǒng)的爐管熱氧方法來完成溝槽內(nèi)壁的氧化層生長(zhǎng)，將會(huì)導(dǎo)致溝槽底面弧形區(qū)域的氧化膜偏薄，從而在器件工作時(shí)出現(xiàn)溝槽底部電場(chǎng)集中，更容易被擊穿。本工藝為達(dá)到溝槽側(cè)壁氧化層厚度均一，溝槽底部氧化層的主體部分是由低壓化學(xué)氣相淀積（CVD）方法生長(zhǎng)的。該方法有良好的表層覆蓋性，可達(dá)到溝槽側(cè)壁、底面氧化層厚度均一的目的。
AON6590溝槽功率MOSFET作為一種新型垂直結(jié)構(gòu)器件,擁有開關(guān)速度快、頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、溫度特性好、無二次擊穿問題等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)在穩(wěn)壓器、電源管理模塊、機(jī)電控制、顯示控制、汽車電子等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。柵極工藝是MOSFET器件制造中最核心的步驟,因此柵極工藝的優(yōu)化對(duì)溝槽MOSFET器件性能和產(chǎn)品良率的提升具有重要的意義。論文共包括三個(gè)部分,首先闡述了溝槽MOSFET柵極制造工藝,然后分別從柵極氧化工藝和多晶硅柵淀積摻雜工藝出發(fā)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),優(yōu)化工藝,改善器件性能。 溝槽MOSFET制造流程和柵極工藝介紹：介紹了溝槽功率MOSFET的制造流程,說明了柵極氧化工藝和多晶硅柵淀積摻雜工藝原理和設(shè)備,最后闡述了溝槽MOSFET的重要電學(xué)參數(shù)及其物理意義。 溝槽MOSFET柵極犧牲氧化工藝優(yōu)化研究：研究了犧牲氧化工藝溫度、氧化層厚度對(duì)溝槽MOSFET器件擊穿電壓、柵極泄漏電流和可靠性的影響。


替代AON6590常見問題
AON6590MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效，分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過大，損耗過高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。
雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡(jiǎn)單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預(yù)防措施：理降額使用。目前，行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點(diǎn)來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設(shè)計(jì)。大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個(gè)合理的門電阻Rg.在大功率電源中，可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊(cè)極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產(chǎn)、運(yùn)輸、裝配過程中的靜電；電力系統(tǒng)運(yùn)行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振；通過Gad傳檢到網(wǎng)


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON6590應(yīng)用無人機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管封裝
AON6590有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設(shè)計(jì)或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時(shí)引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品；也有些超薄設(shè)計(jì)需要將器件管腳折彎平放，這會(huì)加大MOS管選用的復(fù)雜度。

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