替代AON6566-半導(dǎo)體國產(chǎn)mos管

替代AON6566應(yīng)用13串國產(chǎn)mos管工藝
AON6566由于硅氧化物層和硅襯底的刻蝕速率不同，且需要刻蝕的厚度也不相同，因此硅氧化物層的刻蝕步驟在轟擊能力比較強(qiáng)的電容耦合等離子體(capacitivelycoupledplasma，ccp)刻蝕設(shè)備中進(jìn)行，硅襯底的刻蝕步驟在轟擊能力比較弱，等離子體損傷比較小的電感耦合等離子體(inductivelycoupledplasma，icp)刻蝕機(jī)中進(jìn)行。
由于硅氧化物層和硅襯底的刻蝕步驟需要在不同的刻蝕設(shè)備中完成，因此工藝較為復(fù)雜，制造效率較低。
半導(dǎo)體產(chǎn)品從開始生產(chǎn)到完成制造，主要有兩道加工工藝，分別被稱為前道生產(chǎn)和后道生產(chǎn)。MOSFET 雖然是一種結(jié)構(gòu)比較簡單的半導(dǎo)體器件，但是也同樣需要通過這兩道生產(chǎn)加工工藝.
AON6566得益于在15V~200V低壓領(lǐng)域的優(yōu)異特性，業(yè)界對SGT MOSFET的研究在不斷深入，目前SGTMOSFET在結(jié)構(gòu)和特性方面的一些研究成果。采用NP交替摻雜代替單一的N型摻雜的多晶硅屏蔽柵極 SGT MOSFET被提出凹，通過在屏蔽柵極中引入PN結(jié)多晶二極管或者NPN多晶三極管結(jié)構(gòu)，由PN結(jié)電容串聯(lián)效應(yīng)減小源漏電容Cps,即降低了輸出電容Coss和與之相應(yīng)的功耗Eoss,減小了器件開關(guān)過程中的能量損耗。SGTMOSFET NP交替摻雜屏蔽柵極（SSGT)與常規(guī)屏蔽柵極結(jié)構(gòu)（SGT)隨Vds變化下Coss和Eoss曲線比較高溫反偏實(shí)驗(yàn)（HTRB)被廣泛于功率器件結(jié)的可靠性測試和邊緣終端魯棒性的驗(yàn)證，其中包括BVDSS不穩(wěn)定性和漏、源漏電流IDSS的增大。JifaHao等人發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)的HTRB可靠性測試應(yīng)力水平太低，無法達(dá)到SGT MOSFET的雪崩條件，不能捕獲其BVDSS不穩(wěn)定性現(xiàn)象。通過直流常數(shù)雪崩電流在SGT MOSFET器件漏的注入，可以測量到常溫和高溫下SGT MOSFET的BVDSS漂移，漂移量與注入雪崩電流的大小正相關(guān)，且隨著溫度的升高而增大12).通過雪崩電流注入可以測量到SGTMOSFET BVDSS漂移的機(jī)理在于：SGT漂移區(qū)是在反向耐壓時時嚴(yán)格的電荷平衡狀態(tài)，持續(xù)的電流注入應(yīng)力使得空穴被注入到SGT MSOFET的屏蔽柵氧化物中，破壞了漂移區(qū)的電荷平衡，引起了BVDSS的walk-in或walk-out現(xiàn)象。

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(jī)(個人計算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON6566應(yīng)用13串國產(chǎn)mos管封裝
AON6566插入式封裝
AON6566表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。



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