替代AON6554-半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)mos管

替代AON6554國(guó)產(chǎn)mos管工藝
AON6554屏蔽柵 MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET，縮寫 SGT-MOSFET）功率器件是一種基于傳統(tǒng)溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進(jìn)型的溝槽式功率 MOSFET。相比于傳統(tǒng) U-MOSFET 功率器件，它的開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低，具有更好的器件性能。對(duì)于 SGT-MOSFET 功率器件，溝槽底部的形貌對(duì)器件性能都有非常重要的影響。當(dāng) SGT-MOSFET 功率器件溝槽底部氧化膜出現(xiàn)空洞時(shí)，器件 IDSS（漏源短路電流）將增大。SGT-MOSFET 功率器件相比傳統(tǒng) U-MOSFET 功率器件的溝槽深度大大加深了，以往的溝槽清洗干燥工藝，溝槽底部易有水漬殘留。水漬會(huì)導(dǎo)致底部氧化膜生長(zhǎng)異常，產(chǎn)生空洞。調(diào)整溝槽清洗干燥工藝，晶圓在清洗干燥過(guò)程中，將晶圓脫離去離子水水面的速度降低，即可實(shí)現(xiàn)晶圓的充分干燥，擺脫水漬殘留。
AON6554在功率金氧半場(chǎng)效晶體管(powermetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，powermosfet)器件的制造過(guò)程中，在硅襯底上形成硅氧化物層后，需要分別進(jìn)行硅氧化物層的刻蝕和硅襯底的刻蝕，在硅襯底上形成溝槽。


替代AON6554常見(jiàn)問(wèn)題
AON6554靜電分析：靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場(chǎng)，與地球有電位差；產(chǎn)生放電電流。這三種情況對(duì)電子元件有以下影響：亥元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。于電場(chǎng)或電流的作用，元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞，使元件不能工作（*損壞）。于電場(chǎng)的瞬時(shí)軟擊穿或電流過(guò)熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。
靜電失效預(yù)防措施：OS電路輸入端的保護(hù)二極管在通電時(shí)的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過(guò)大的瞬時(shí)輸入電流（大于10mA)時(shí)，輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限，過(guò)大的瞬時(shí)信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。在焊接過(guò)程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時(shí)，斷電后，可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON6554國(guó)產(chǎn)mos管封裝
AON6554SO-8內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)
AON6554這四種限制對(duì)其電學(xué)和熱學(xué)性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規(guī)格時(shí)，同步對(duì)焊線互連形式進(jìn)行了改進(jìn)，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
AON6554增加漏極散熱板
AON6554標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導(dǎo)通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導(dǎo)體，故而影響了漏極的散熱。
AON6554技術(shù)改進(jìn)就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結(jié)構(gòu)直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走；同時(shí)也可以制成更薄的器件。



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