替代AOD4184-半導(dǎo)體國產(chǎn)mos管

替代AOD4184-半導(dǎo)體國產(chǎn)mos管工藝
AOD4184器件漏源通態(tài)電阻RpsON是器件單位面積開態(tài)時漏源之間的總電阻，它是決定器件大額定電流和功率損耗的重要參數(shù)。由于VDMOS的諸多優(yōu)點，早期低壓的MOSFET大都也是使用平面VDMOS工藝，但是由于平面工藝MOSFET其本身體內(nèi)JFET寄生電阻的限制，單個原胞的面積并不能減的很小，這樣就使增加原胞密度變得很困難，限制了平面工藝MOSFET向進(jìn)一步減小RpsON的方向發(fā)展。在這種情況下，為了進(jìn)一步增加原胞密度，提高單位面積芯片內(nèi)溝道的總寬度，1984年D.Ueda次把Trench技術(shù)用于制造UMOS器件［］，由于Trench柵（UMOS)把溝道從水平變?yōu)榇怪保?消除了平面結(jié)構(gòu)寄生JFET電阻的影響，使元胞尺寸大大縮小，元胞尺寸縮小能夠帶來器件單位硅片上的溝道寬長比增大從而使電流增大、導(dǎo)通電阻下降等好處6].Trench柵結(jié)構(gòu)幾乎*消除了平面型VDMOS的弊端，在制作低壓MOSFET領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。各種Trench MOSFET結(jié)構(gòu)也開始應(yīng)運(yùn)而生。
AOD4184EPI SGT MOSFET的器件結(jié)構(gòu)示意圖和在相同總體EPI厚度下及相同反向耐壓下單層、雙層及三層EPI結(jié)構(gòu)器件內(nèi)部的電場
分布仿真曲線6,可以看出無論在相同的EPI厚度下，還是在相同的耐壓下，三層EPI SGT MOSFET結(jié)構(gòu)器件內(nèi)部電場峰值均小于雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)，且電場分布更加均勻。對于150V器件，在總體10um的EPI厚度下，三層EPI的反向擊穿電壓BV和R8分別達(dá)到164.5V和67.8mΩ·m㎡,BV比雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)分別提高了6.9%和25.6%,R比雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)分別降低了30.4%和62%.

替代AOD4184常見問題
過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變過程。
比如一個 MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺時）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時電流已達(dá)大，負(fù)載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個 MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開關(guān)過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。
其實整個 MOS 開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多。總之就是開關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
所以這個很考驗設(shè)計師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個簡單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(jī)(個人計算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AOD4184-半導(dǎo)體國產(chǎn)mos管封裝
AOD4184插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）
AOD4184PGA（Pin Grid Array Package）芯片內(nèi)外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據(jù)管腳數(shù)目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時，將芯片插入專門的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優(yōu)勢，能適應(yīng)更高的頻率。



需要了解更多關(guān)于替代AOD4184-半導(dǎo)體國產(chǎn)mos管信息，請聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-替代AOD4184應(yīng)用國產(chǎn)mos管