替代AOD409-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管mos管

替代AOD409應(yīng)用鋰電池保護(hù)板場(chǎng)效應(yīng)管mos管工藝
AOD409半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測(cè)試（wafer Probe/Sorting)、芯片封裝（Assemble）、測(cè)試（Test）以及后期的成品（Finish Goods）入庫(kù)所組成。
AOD409SGT MOSFET的控制柵極和屏蔽柵極結(jié)構(gòu)的研究也有創(chuàng)新。分別報(bào)道了兩種通過(guò)在屏蔽柵氧化層中心和側(cè)壁引入浮空電極來(lái)改善器件擊穿特性和動(dòng)態(tài)特性的新結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)分別如圖7a、圖7b所示17,19]在圖7a結(jié)構(gòu)中，浮空電極對(duì)稱地分0布在屏蔽柵極氧化層兩側(cè)，通過(guò)該浮空電極可以將屏蔽柵溝槽底部的電場(chǎng)峰值調(diào)制至漂移區(qū)，使得電場(chǎng)峰值下降，電場(chǎng)分布更加均勻；另外一種結(jié)構(gòu)是在屏蔽氧化層中心（即頂部控制柵極與底部屏蔽柵極之間）引入浮空電極，通過(guò)該浮空電極來(lái)調(diào)節(jié)縱向的
電場(chǎng)強(qiáng)度分布，來(lái)達(dá)到優(yōu)化器件反向耐壓BV和比導(dǎo)通電阻Rsp的目的。對(duì)于200V的SGT MOSFET,這兩種結(jié)構(gòu)的BV和Rsp
可以分別做到244V,158.4mΩ·m㎡和258.3V,195mΩ·m㎡.圖文獻(xiàn)［19]報(bào)道了一種通過(guò)改變控制柵極結(jié)構(gòu)。


替代AOD409常見(jiàn)問(wèn)題
AOD409靜電分析：靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場(chǎng)，與地球有電位差；產(chǎn)生放電電流。這三種情況對(duì)電子元件有以下影響：亥元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。于電場(chǎng)或電流的作用，元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞，使元件不能工作（*損壞）。于電場(chǎng)的瞬時(shí)軟擊穿或電流過(guò)熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。
靜電失效預(yù)防措施：OS電路輸入端的保護(hù)二極管在通電時(shí)的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過(guò)大的瞬時(shí)輸入電流（大于10mA)時(shí)，輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限，過(guò)大的瞬時(shí)信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。在焊接過(guò)程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時(shí)，斷電后，可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，其接地腳應(yīng)先焊好。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AOD409應(yīng)用鋰電池保護(hù)板場(chǎng)效應(yīng)管mos管封裝
AOD409按照安裝在PCB板上的方式來(lái)劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AOD409插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。
AOD409表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
AOD409在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。
AOD409而不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會(huì)不一樣，而它們?cè)陔娐分兴芷鸬降淖饔靡矔?huì)不一樣；另外，封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來(lái)聊聊MOS管封裝的那些事。



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