替代AOD403-半導(dǎo)體大電流mos管

替代AOD403應(yīng)用手電鉆大電流mos管工藝
AOD403在國(guó)內(nèi)，雖然有不少公司已經(jīng)涉及該領(lǐng)域，并有Trench MOSFET問(wèn)世，特別是在低壓低功率方面。但有關(guān)Trench MOS的研究和制作畢竟還處于剛剛起步的狀態(tài)，許多技術(shù)和工藝還是空白，研究和制作Trench MOS是很有意義的。
ESD保護(hù)柵結(jié)構(gòu)的功率 MOSFET 發(fā)展現(xiàn)狀：低壓溝槽MOSFET器件通常被當(dāng)做電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同步整流等方面的電壓驅(qū)動(dòng)功
率開(kāi)關(guān)使用，其工作方式不同于一般電路的工作情況，器件既要防止靜電造成柵氧化層的擊穿，同時(shí)還要防止應(yīng)用系統(tǒng)產(chǎn)生的過(guò)電壓施加到功率MOSFET的柵極上，帶來(lái)功率器件的損壞。因此，功率MOSFET的器件設(shè)計(jì)，除了要考慮器件的抗雪崩能力之外，還需努力提高功率MOSFET的抗靜電能力和抗過(guò)電壓能力。
AOD403VV MOSFET 是一個(gè)商業(yè)化功率 MOSFET，VV MOSFET 是利用 V 型槽來(lái)實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電，當(dāng) Vgs 大于 0 時(shí)，在 V 型槽外壁與硅表面接觸的地方形成一個(gè)電場(chǎng)，P 區(qū)時(shí) N+區(qū)域的電子受到吸引，當(dāng) Vgs 足夠大時(shí)，就會(huì)形成 N 型導(dǎo)電溝道，使漏、源極之間有電流流過(guò)；VV MOSFET 特點(diǎn)：VV MOSFET 不僅繼承了 LD MOSFET 輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電流小、還具有耐壓高（高可耐壓 1200V）、工作電流大（1.5A~100A）、跨導(dǎo)線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性；但因 VV MOSFET 是利用各向異性原理濕法腐蝕形成溝槽結(jié)構(gòu)，其工藝穩(wěn)定性不佳且存在端放電的問(wèn)題，所以目前使用較少。 VV MOSFET 主要應(yīng)用在電壓放大器、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中。

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AOD403應(yīng)用手電鉆大電流mos管封裝
AOD403采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實(shí)現(xiàn)不同的工作模式，支持主動(dòng)相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
AOD403除了QFN封裝外，雙邊扁平無(wú)引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
AOD403除了外部封裝，基于電子制造對(duì)MOS管的需求的變化，內(nèi)部封裝技術(shù)也在不斷得到改進(jìn)，這主要從三個(gè)方面進(jìn)行：改進(jìn)封裝內(nèi)部的互連技術(shù)、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導(dǎo)方向。



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