替代6080K-半導體n溝道m(xù)os管

替代6080K應用13串n溝道m(xù)os管工藝
6080K前道生產(chǎn)主要指晶圓制造，包括光刻、等離子體刻蝕、離子注入、離子擴散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長、濺射和化學氣相淀積等復雜的加工步驟. 這些加工步驟的目的是主要在硅片上創(chuàng)作出一個個具有完整功能的晶粒. 每個晶粒的電性能，由探針臺與自動測試設備搭建的晶圓測試平臺進行驗證. 不能通過測試的晶粒，會被點上墨點，作為不合格的標記. 在后道生產(chǎn)中會識別這些標記，有墨點的晶粒不會被加工. 由于晶圓被稱為Wafer 或者Die，對晶粒的測試也被稱為Wafer Sorting 或Die Sorting。
6080KMOS器件工藝流程：鋁柵N型溝道MOS管制作工藝流程鋁柵N型溝道MOS管工藝流程，工藝流程中相應結構剖面。

替代6080K常見問題
1、6080Kmos管小電流發(fā)熱的原因：
  1）電路設計的問題：就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)，這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。
如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能*導通，P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
  2）頻率太高：主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
  3）沒有做好足夠的散熱設計：電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
  4）6080KMOS管的選型有誤：對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

2、6080Kmos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決：
做好MOS管的散熱設計，添加足夠多的輔助散熱片。
貼散熱膠。

3、6080KMOS管為什么可以防止電源反接？
電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護電路，達到即使接反電源，也不會損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減。
MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個毫歐的內(nèi)阻，假設是6.5毫歐，通過的電流為1A（這個電流已經(jīng)很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護板MOS管放電過程中燒壞的原因
6080KMOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現(xiàn)象，放電過程中MOS管沒有*打開，處于關閉或半打開狀態(tài)，PCBA內(nèi)阻變大，長時間大電流放電，發(fā)熱燒壞、燒糊。
生產(chǎn)組裝過程有靜電殘留，或在充放電過程中有外部異常電流／大電壓充放電過程導致MOS管被損壞、燒糊。
保護板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線過程時先焊B4-線（因為靠近B2串的R19短路的風險大）然后在焊接B2串，這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。
6080KMOS管燒壞防護措施：生產(chǎn)過程各環(huán)節(jié)做好ESD防護工作，焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路，建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿
設計時要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實際應用中，電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿
長時間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續(xù)過電流，芯片的內(nèi)核會逐漸升溫到170度以上，芯片的內(nèi)核即可能會被擊穿。

7、瞬間高壓
尤其是配合電機使用時，當電機突然停止時，會產(chǎn)生瞬時的反向電壓，如果續(xù)流二極管不夠大，則可能會損傷MOS。

8、6080K瞬間短路電流
當短路瞬間電流超過了MOS的IDM，如果持續(xù)時間超過前述表9的邊界范圍，則有可能導致MOS瞬間擊穿。

9、6080KESD影響
冬天尤其要注意，ESD高發(fā)時，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關損耗過大
高頻開關，尤其是調(diào)速或無刷應用時，MOS處于高頻開關狀態(tài)，如果驅動和MOS的開關速度沒有配合好，導致開關損耗過大，也同樣容易使MOS升溫導致?lián)p壞。

11、6080KGS驅動電壓不匹配
對于高開啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來驅動，或者驅動電阻分壓不當，例如滿電時GS分壓為10V，但接近空電時只有5V左右的電壓，導致MOS開啟不*，內(nèi)阻成倍增加，通過電流時會快速產(chǎn)生熱量導致MOS燒壞。

12、6080KMOS 損壞主要原因：

過流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產(chǎn)品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代6080K應用13串n溝道m(xù)os管封裝
6080KTO封裝產(chǎn)品外觀
6080KTO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
6080K采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。
6080K其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。
6080KTO-252/D-PAK封裝尺寸規(guī)格
6080KTO-263是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設計，支持*的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
6080K除了D2PAK（TO-263AB）之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。



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