替代3080K-半導(dǎo)體mos管

替代3080K應(yīng)用滑板車p溝道m(xù)os管工藝
3080K1 ) 晶粒切割， Wafer Sawing.使用高速旋轉(zhuǎn)的切割刀，把晶圓上的晶粒切割分離開來.2) 晶粒黏貼， Die Attach.銀膠把晶粒黏貼到導(dǎo)線框架的預(yù)定位置上.3) 焊線， Wire Bond.在晶粒的焊點和引腳框架的引腳之間，焊接上金屬細(xì)線，建立晶粒電路與外部的連接.4）封塑， Molding.把黏有晶粒，熔好線的引腳樞架放置到壓鑄模具中，再把熔融的樹脂塑料壓入模中，把整個晶粒按封裝要求被包裹起來.5) 切割成型，Trim and Form.將引腳框架多余的連接材料切除掉，并根據(jù)產(chǎn)品的封裝形式，把引腳塑造成需要的形狀。6) 最終測試，F(xiàn)inal Test.測試產(chǎn)品的性能是否符合要求.通過測試的產(chǎn)品被認(rèn)為是合格產(chǎn)
3080K在Si基屏蔽柵溝槽低壓功率器件技術(shù)基礎(chǔ)上，討論了SGT MOSFET器件發(fā)展過程中的各種結(jié)構(gòu)改進(jìn)點及電學(xué)性能特點，簡述了SGT MOSFET器件研究的一些新進(jìn)展，同時列舉了SGT MOSFET器件研究需要解決的問題，并對SGT MOSFET的未來發(fā)
展做了展望。

替代3080K常見問題
過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變過程。
比如一個 MOS 電流 100a，電池電壓 96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺時）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時電流已達(dá)大，負(fù)載尚未跑起來，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個 MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開關(guān)過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開通時間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過渡的慢，MOS 結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。
其實整個 MOS 開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多?？傊褪情_關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
所以這個很考驗設(shè)計師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點（一般開通過程不超過 1us）。開通損耗這個簡單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(jī)(個人計算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代3080K應(yīng)用滑板車p溝道m(xù)os管封裝
3080K表面貼裝式封裝
3080K隨著技術(shù)的發(fā)展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。
3080K1、雙列直插式封裝（DIP）
3080KDIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其派生方式為SDIP（Shrink DIP），即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
3080KDIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式）等。DIP封裝的特點是可以很方便地實現(xiàn)PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
3080K但由于其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過程中很容易被損壞，可靠性較差；同時由于受工藝的影響，引腳一般都不超過100個，因此在電子產(chǎn)業(yè)高度集成化過程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺。
3080K2、晶體管外形封裝（TO）
3080K屬于早期的封裝規(guī)格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設(shè)計。
3080KTO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等特點。
3080KTO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時不必加絕緣墊；TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用。
3080KTO-251：該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積，主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
3080KTO-92：該封裝只有低壓MOS管（電流10A以下、耐壓值60V以下）和高壓1N60/65在采用，目的是降低成本。
3080K近年來，由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。TO-252（又稱之為D-PAK）和TO-263（D2PAK）就是表面貼裝封裝。



需要了解更多關(guān)于替代3080K應(yīng)用滑板車p溝道m(xù)os管信息，請聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-替代3080K應(yīng)用滑板車p溝道m(xù)os管