替代2030K-半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管mos

替代2030K應(yīng)用60V開(kāi)關(guān)管mos工藝
2030KTrench MOSFET的工作原理當(dāng)柵極與源極之間電壓小于閾值電壓（即Vos<VrH),靠近柵極區(qū)的溝道未反型，此時(shí)加一正偏漏源電壓，P型基區(qū)與N型漂移區(qū)之間的PN結(jié)反偏，由于P基區(qū)具有較高的摻雜濃度，耗盡層主要向N型漂移區(qū)擴(kuò)展。漏源之間無(wú)電流流過(guò)；當(dāng)柵源電壓逐漸增大到大于器件的閾值電壓時(shí)（即VGs>VTH),垂直溝道表面形成強(qiáng)反型層，即電子溝道。在漏源電壓（VDs)的驅(qū)動(dòng)下，源區(qū)電子經(jīng)外延層漂移至襯底漏極，形成電流?？梢?jiàn)當(dāng)VGs電壓未達(dá)到VTH時(shí)，垂直方向上不存在導(dǎo)電溝道，漏極與源極之間是一個(gè)反偏PN結(jié)［12-13].耗盡，層主要擴(kuò)展在外延層一側(cè)，理論擊穿電壓值可以由外延的濃度和厚度決定。
2030K對(duì)于ESD損傷的防護(hù)手段主要分兩個(gè)方面：一方面是外部因素，即改善器件和電路的生產(chǎn)、工作、運(yùn)輸、存儲(chǔ)環(huán)境和規(guī)范；另一方面是內(nèi)部因素，即提高芯片內(nèi)ESD保護(hù)電路的性能。最初人們通常采取一種，盡力的去避免ESD的產(chǎn)生，并在器件運(yùn)輸、存儲(chǔ)、工作的環(huán)境中盡力減少ESD傳輸?shù)狡骷先?。但由于功率MOSFET器件應(yīng)用環(huán)境較為復(fù)雜，柵－源管腳裸露在外，本身抗ESD能力很低等因素影響，其因ESD而失效的器件的比例一直居高不下。為此有人提出：要想從根本上降低ESD對(duì)功率MOS的損害，必須提高器件本身的耐ESD能力。

替代2030K常見(jiàn)問(wèn)題
2030KJ極電壓失效的預(yù)防措施：冊(cè)極和源極之間的過(guò)電壓保護(hù)：如果柵極和源極之間的阻抗過(guò)高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過(guò)電極間電容耦合到柵極上，導(dǎo)致非常高的UGS壓超調(diào)，從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導(dǎo)通錯(cuò)誤。為此，應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)阻尼電阻或一個(gè)穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開(kāi)門(mén)操作。
非水管之間的過(guò)電壓保護(hù)：如果電路中存在電感負(fù)載，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，漏極電流（di/dt)的突然變化將導(dǎo)致漏極電壓超調(diào)，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電源電壓，從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。應(yīng)采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護(hù)措施。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代2030K應(yīng)用60V開(kāi)關(guān)管mos封裝
2030KTO封裝產(chǎn)品外觀
2030KTO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
2030K采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。
2030K其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過(guò)PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極（D）焊盤(pán)較大。
2030KTO-252/D-PAK封裝尺寸規(guī)格
2030KTO-263是TO-220的一個(gè)變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì)，支持*的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見(jiàn)。
2030K除了D2PAK（TO-263AB）之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關(guān)系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。



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