代換IRFB4110半導體-蘇州華鎂

代換IRFB4110應用角磨機mos管的參數(shù)封裝
IRFB4110TO封裝產(chǎn)品外觀
IRFB4110TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
IRFB4110采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。
IRFB4110其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。
IRFB4110TO-252/D-PAK封裝尺寸規(guī)格
IRFB4110TO-263是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計，支持*的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
IRFB4110除了D2PAK（TO-263AB）之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關(guān)系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。

代換IRFB4110常見問題
IRFB4110J極電壓失效的預防措施：冊極和源極之間的過電壓保護：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導致非常高的UGS壓超調(diào)，從而導致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導通錯誤。為此，應適當降低柵極驅(qū)動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開門操作。
非水管之間的過電壓保護：如果電路中存在電感負載，當設(shè)備關(guān)閉時，漏極電流（di/dt)的突然變化將導致漏極電壓超調(diào)，這遠遠高于電源電壓，從而導致設(shè)備損壞。應采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護措施。

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