代換FDD6680半導(dǎo)體-蘇州華鎂

代換FDD6680應(yīng)用平衡車(chē)保護(hù)mos管封裝
FDD6680PGA封裝樣式
FDD6680其芯片基板多數(shù)為陶瓷材質(zhì)，也有部分采用特制的塑料樹(shù)脂來(lái)做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447不等。
FDD6680這種封裝的特點(diǎn)是，封裝面積（體積）越小，能夠承受的功耗（性能）就越低，反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見(jiàn)，且多用于CPU等大功耗產(chǎn)品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式；不大為MOS管廠家所采納。

代換FDD6680常見(jiàn)問(wèn)題
過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)從而增加開(kāi)關(guān)損耗。MOS 開(kāi)通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉(zhuǎn)變過(guò)程。
比如一個(gè) MOS 大電流 100a，電池電壓 96v，在開(kāi)通過(guò)程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)）MOS 發(fā)熱功率是 P=V*I（此時(shí)電流已達(dá)大，負(fù)載尚未跑起來(lái)，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！這時(shí)它發(fā)熱功率大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到*導(dǎo)通時(shí)功率變成 100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個(gè) MOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 3 毫歐姆）。開(kāi)關(guān)過(guò)程中這個(gè)發(fā)熱功率變化是驚人的。
如果開(kāi)通時(shí)間慢，意味著發(fā)熱從 9600w 到 30w 過(guò)渡的慢，MOS 結(jié)溫會(huì)升高的厲害。所以開(kāi)關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒 MOS。為了不燒 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓，比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v，這樣開(kāi)關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開(kāi)關(guān)損耗不一樣（開(kāi)關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流一樣），導(dǎo)通損耗*受 MOS 內(nèi)阻決定，和電池電壓沒(méi)任何關(guān)系。
其實(shí)整個(gè) MOS 開(kāi)通過(guò)程非常復(fù)雜。里面變量太多。總之就是開(kāi)關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開(kāi)關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開(kāi)關(guān)速度快理論上開(kāi)關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很?chē)?yán)重，可能在米勒平臺(tái)就燒管子了），反而開(kāi)關(guān)損耗也大，并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。
所以這個(gè)很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動(dòng)電路布線和主回路布線技能。最終就是找個(gè)平衡點(diǎn)（一般開(kāi)通過(guò)程不超過(guò) 1us）。開(kāi)通損耗這個(gè)簡(jiǎn)單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。

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