CAS號(hào)：1879922-15-2 PBDB-T-S|OPV給體材料|知研光電材料

PBDB-T-S|OPV給體材料|知研光電材料

中文名稱(chēng)：PBDB-T-S

中文同義詞：P9190;PBDTTSEH-BDTT, PBDB-T-S

英文名稱(chēng)：PBDB-T-S

英文同義詞：PBDB-T-S;P9190;PBDTTSEH-BDTT, PBDB-T-S;PBD-S

CAS號(hào)：1879922-15-2

PBDB-T-S|OPV給體材料|知研光電材料

結(jié)構(gòu)式：

描述：

三元太陽(yáng)能電池在提高單結(jié)器件的功率轉(zhuǎn)換效率方面顯示出巨大的潛力。篩選合適的第三組分對(duì)于不同的主機(jī)二進(jìn)制OSC關(guān)重要，但具有挑戰(zhàn)性。在此報(bào)告了一種的三元策略，通過(guò)合并兩個(gè)具有不同結(jié)構(gòu)順序的合金形成熔合環(huán)電子受體（FREA）來(lái)實(shí)現(xiàn)的PBDB-T基器件。作為第三組分的INPIC Si顯示出比主體受體IDTO-T-4F更窄的帶隙和更高的能級(jí)。由于具有良好的相容性和合金形成共混物，兩種FREA產(chǎn)生從IDTO-T-4F到INPIC Si的Frster共振能量轉(zhuǎn)移，促進(jìn)了的激子離解和電荷載流子傳輸。重要的是，低結(jié)晶INPIC硅減少了PBDB的強(qiáng)聚集㏕:IDTO-T-4F共混物可實(shí)現(xiàn)佳相分離和結(jié)構(gòu)順序。因此，佳PBDB㏕:IDTO-T-4F:INPIC-Si三元OSC提供了14.55%的佳PCE，同時(shí)比二元OSC改善了器件參數(shù)。據(jù)我們所知，這種性能是文獻(xiàn)中基于PBDB-T的三元OSC的高性能之一。工作表明，在高度聚集的二元共混物中加入具有低結(jié)構(gòu)順序的窄帶隙FREA可以?xún)?yōu)化共混物的形態(tài)，以減少能量損失，并顯著改善三元OSC中的光伏性能。

純度：95%

用途：僅用于科研

以上資料來(lái)自昊然小編 pk2022.07.19

溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實(shí)驗(yàn)！

公司介紹：

西安昊然生物目前經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)品主要有合成磷脂，PEG衍生物，嵌段共聚物，納米金，磁性納米顆粒，介孔二氧化硅，

活性熒光染料，熒光量子點(diǎn)，點(diǎn)擊化學(xué)和大環(huán)配體等等。