| 腔體材質(zhì) | 鋁合金（可定制不銹鋼腔體） | 腔體厚度 | 25mm |
|---|---|---|---|
| 腔體內(nèi)部尺寸 | 4800*470*480mm（寬*高*深） | 工作空間 | 6個彈夾區(qū)間 |
| 流量范圍 | 0-300SCCM |
為何要去除光刻膠？
在現(xiàn)代半導體生產(chǎn)過程中，會大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉(zhuǎn)移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護下，對下層薄膜或晶圓基底完成進行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠*去除。
去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后，晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉(zhuǎn)移和保護層的功能，通過去膠工藝進行*清除。
光刻膠去除是微加工工藝過程中非常重要的環(huán)節(jié)，光刻膠是否*去除干凈、對樣片是否有造成損傷，都會直接影響后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果。
半導體光刻膠去除工藝有哪些？
半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據(jù)去膠介質(zhì)的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。
各類去膠方法對比：
上圖可見，干式去膠適合大部分去膠工藝，去膠*且速度快，是現(xiàn)有去膠工藝中好的方式，而微波PLASMA去膠技術，也是干式去膠的一種。
達因特的微波PLASMA去膠機，搭載國內(nèi)微波半導體去膠發(fā)生器技術，配置磁流體旋轉(zhuǎn)架，使微波等離子體更加高效、均勻的輸出，不僅去膠效果好，還能做到無損硅片與其他金屬器件。并提供“微波+Bias RF”雙電源技術，以應對不同客戶需求。
采購中心
化工儀器網(wǎng)