化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)用儀器>光刻及涂膠顯影設(shè)備>去膠機(jī)>SPV-100MWR 微波等離子去膠機(jī)-半導(dǎo)體/芯片除膠
SPV-100MWR 微波等離子去膠機(jī)-半導(dǎo)體/芯片除膠
- 公司名稱(chēng) 東莞市晟鼎精密儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) SPV-100MWR
- 產(chǎn)地 東莞虎門(mén)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/2/4 13:35:24
- 訪問(wèn)次數(shù) 1477
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腔體材質(zhì) | 鋁合金(可定制不銹鋼腔體) | 腔體厚度 | 25mm |
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腔體內(nèi)部尺寸 | 4800*470*480mm(寬*高*深) | 工作空間 | 6個(gè)彈夾區(qū)間 |
流量范圍 | 0-300SCCM |
為何要去除光刻膠?
在現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中,會(huì)大量使用光刻膠來(lái)將電路板圖圖形通過(guò)掩模版和光刻膠的感光與顯影,轉(zhuǎn)移到晶圓光刻膠上,從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形,然后在光刻膠的保護(hù)下,對(duì)下層薄膜或晶圓基底完成進(jìn)行圖形刻蝕或離子注入,最后再將原有的光刻膠*去除。
去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后,晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉(zhuǎn)移和保護(hù)層的功能,通過(guò)去膠工藝進(jìn)行*清除。
光刻膠去除是微加工工藝過(guò)程中非常重要的環(huán)節(jié),光刻膠是否*去除干凈、對(duì)樣片是否有造成損傷,都會(huì)直接影響后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果。
半導(dǎo)體光刻膠去除工藝有哪些?
半導(dǎo)體光刻膠去除工藝,一般分成兩種,濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據(jù)去膠介質(zhì)的差異,分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類(lèi)別。
各類(lèi)去膠方法對(duì)比:
上圖可見(jiàn),干式去膠適合大部分去膠工藝,去膠*且速度快,是現(xiàn)有去膠工藝中好的方式,而微波PLASMA去膠技術(shù),也是干式去膠的一種。
達(dá)因特的微波PLASMA去膠機(jī),搭載國(guó)內(nèi)微波半導(dǎo)體去膠發(fā)生器技術(shù),配置磁流體旋轉(zhuǎn)架,使微波等離子體更加高效、均勻的輸出,不僅去膠效果好,還能做到無(wú)損硅片與其他金屬器件。并提供“微波+Bias RF”雙電源技術(shù),以應(yīng)對(duì)不同客戶(hù)需求。