TOF-SIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜測(cè)試設(shè)備

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜測(cè)試設(shè)備

先進(jìn)的動(dòng)態(tài)TOF-SIMS系統(tǒng)，它使用直流主束的飛行時(shí)間分析儀，創(chuàng)建了成像質(zhì)譜的新范式。直流一次離子束的使用允許快速成像和連續(xù)數(shù)據(jù)采集（即沒有單獨(dú)的蝕刻周期），同時(shí)提供高空間和質(zhì)量分辨率。

特點(diǎn)：

離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率

四種離子束可選擇

用氣體團(tuán)簇離子束SIMS，可以分析高達(dá)3000Da的分子量

無“僅蝕刻”循環(huán)的深度剖面。

快速、連續(xù)采集

冷樣品處理

氣敏和冷凍樣品

技術(shù)參數(shù)：

離子束帶來高分子量分析和高空間分辨率

四種離子束可選擇

用氣體團(tuán)簇離子束SIMS，可以分析高達(dá)3000Da的分子量

無“僅蝕刻”循環(huán)的深度剖面。

快速、連續(xù)采集

冷樣品處理

氣敏和冷凍樣品,可配置手套箱

高級(jí)數(shù)據(jù)查看功能

腔室上最多可包括3種離子束。選擇包括金，C60，氣體團(tuán)簇，和等離子體-每一個(gè)適合特定的樣品類型或?qū)嶒?yàn)，如下所示。

主要特點(diǎn)：

深度剖面

該 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜測(cè)試設(shè)備SIMS非常適合于樣品的深度剖面分析。使用直流離子束進(jìn)行分析的一個(gè)重要方面是，不需要將蝕刻離子束與分析離子束交錯(cuò)。為了能夠在合理的時(shí)間尺度上生成3D圖像，并去除受損的亞表面層，傳統(tǒng)的TOF實(shí)驗(yàn)使用了交錯(cuò)成像和蝕刻循環(huán)，這些循環(huán)浪費(fèi)了寶貴的樣品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等連續(xù)分析離子束，分析和低損傷刻蝕是連續(xù)和并行的，因此沒有數(shù)據(jù)丟失，所有材料都被采樣，使我們 SIMS成為一個(gè)非常精確的深度剖面分析工具。

溫度和大氣控制的多功能樣品處理

該 SIMS上的多功能樣品處理系統(tǒng)可以分析多種樣品類型。儀器配備液氮冷卻裝置，以便對(duì)揮發(fā)性樣品進(jìn)行分析——冷卻裝置適用于主樣品階段和樣品插入鎖。相反，樣品臺(tái)也可以加熱到600 K。

儀器配有手套箱，用于在干燥氣體下制備和插入空氣/水敏感樣品，并防止冷卻過程中結(jié)冰。由于小容量負(fù)載鎖定和高泵送速度，樣品插入很快。

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體分析的范圍可以從淺結(jié)深度剖面到高分辨率3D成像。有五種不同的主離子束可供選擇，可以針對(duì)不同的材料或?qū)嶒?yàn)類型進(jìn)行定制。

從 40kV C60 光束中進(jìn)行選擇，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均勻的濺射率，是平面設(shè)備的理想選擇?；?span style="padding: 0px; margin: 0px; box-sizing: border-box; max-width: 100%;"> FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有高的電流密度，是淺結(jié)深度剖析的選擇。

特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像

聚合物

液態(tài)金屬離子束會(huì)導(dǎo)致高水平的碎裂和對(duì)表面的損壞，然后必須通過GCIB將其去除。這會(huì)降低深度分辨率，并增加實(shí)驗(yàn)不必要的復(fù)雜性。GCIB是主光束，因此可確保低分段，不需要僅蝕刻循環(huán)，并保證高深度分辨率。

GCIB SM 是市場(chǎng)上能量最高的 GCIB，能夠快速和最小的損壞蝕刻聚合物等軟質(zhì)材料，從而實(shí)現(xiàn)比以往更大的 3D 分析量。

特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像