實驗室專用原子層沉積設(shè)備 Savannah100,200,300

用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD;具備近100種膜層工藝。

• 應(yīng)用領(lǐng)域：

芯片封裝、半導(dǎo)體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽能電池、5G通訊（SAW器件）、生物醫(yī)學(xué)仿生、熒光材料、OLED顯示、有機材料、電子電路、光學(xué)膜等，細(xì)分及對應(yīng)膜層如下：

-High-K介電材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3)

-導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)

-金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu WN,TaN,Ru,Ir)

-催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5)

-納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)

-生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN)

-金屬 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)

-壓電層 (ZnO,AlN,ZnS)

-透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al,ITO)

-紫外阻擋層 (ZnO,TiO2)

-光子晶體 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5)

-防反射濾光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)

-電致發(fā)光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce)

-工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3,ZrO2)

-光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO)

-傳感器 (SnO2,Ta2O5)

-磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3,ZrO2,WS2)

-OLED鈍化層 (Al2O3)

• 功能特點：

  -采用熱法和等離子法制備原子層納米級薄膜

  -一個循環(huán)周期小于2秒鐘

  -可以沉積有機高分子材料，實現(xiàn)表面親疏水性

  -可以在納米粉末或納米顆粒上沉積薄膜

  -可以在三維、不規(guī)則體、帶有長深孔（深寬比2500：1）樣品上沉積薄膜

  -可以沉積低飽和蒸汽壓材料

  -可增加在線橢偏儀和QCM檢測

  -可增加等離子體裝置

  -可擴展臭氧產(chǎn)生器

  -可集成手套箱設(shè)備

  -可增加Load-lock自動上下載片裝置

• 可沉積膜層：

  氧化物

  氮化物

  硫化物

  金屬/碲化物

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