Picosun R200 原子層沉積系統(tǒng)

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Picosun 原子層沉積系統(tǒng)原子層沉積系統(tǒng)價格原子層沉積鍍膜儀 ALD

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公司介紹 主營產(chǎn)品

深圳市錫成科學(xué)儀器有限公司自成立以來，一直秉承誠信經(jīng)營的理念，充分考慮客戶的技術(shù)需求及資金預(yù)算，為廣大客戶推薦合適的產(chǎn)品及服務(wù)。

我們自研及代理的國內(nèi)外多種儀器設(shè)備，已廣泛應(yīng)用于材料、電子、新能源、建筑、環(huán)保及化工等領(lǐng)域，用戶涵蓋各類高校、研究所、企業(yè)實驗室和質(zhì)檢部門等。在樣品制備、分析測試、材料及器件的性能表征等方面，深受用戶認(rèn)可。

我們將一如既往，努力為客戶提供完善的實驗室一站式服務(wù)。

展開

臺階儀，光學(xué)輪廓儀，電化學(xué)工作站，納米壓痕儀，力電聯(lián)測材料試驗機，介電溫譜測量系統(tǒng)，電阻測試儀，原子力顯微鏡，光學(xué)顯微鏡

產(chǎn)地類別	進口	應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

原子層沉積系統(tǒng)

將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室，并在襯底表面發(fā)生氣/固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜。無論液體、氣體還是固體化學(xué)物，都可以配置獨立，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。

2 表面自限制生長，平整度高，均勻性好。

2 逐層吸附沉積，無針孔，致密性高。

2 三維共形：前驅(qū)體均勻覆蓋襯底材料表面，生成與襯底表面形狀一致的薄膜，適用各種復(fù)雜三維形狀的襯底。

2 附著性高，在化學(xué)吸附作用下，前驅(qū)體和襯底材料緊密粘附在一起。

2 單原子層逐層沉積，厚度精確可控。

原子層沉積系統(tǒng)

型號	R-200標(biāo)準(zhǔn)型	R-200高級型
襯底尺寸（φ）	單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片	單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片
襯底形貌	復(fù)雜三維構(gòu)型、平板、多孔、通孔、溝槽、粉末與顆粒
深寬比	2500	2500
溫度	50~500℃	50~500℃ Plasma：450/650℃
溫度精度	±1℃	±1℃
襯底傳送選件	v 氣動升降（手動裝載）； v 磁力機械手裝載（Load lock ）	v 氣動升降（手動裝載） v 磁力機械手裝載（Load lock ） v 半自動裝載； v 全自動裝載
前驅(qū)體	v 液體、固體、氣體、臭氧源 v 6個前驅(qū)體源，4個獨立源管	v 液體、固體、氣體、臭氧源、等離子體（最多4路） v 12個前驅(qū)體源，6個獨立源管，（選擇Plasma時，共7根獨立源管）
均勻性（1σ）	6“和8”晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù) - AI2O3 (batch)：0.13% - TiO2：0.28% - HfO2：0.47% - SiO2 (batch)：0.77% - ZnO：0.94% - Ta2O5：1.0% - TiN：1.1% - CeO2：1.52% - Pt：3.41%