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6EZ-SIC拋光機(jī)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

碳化硅拋光機(jī)SiC晶圓處理

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岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面簡(jiǎn)稱岱美)成立于1989年,是一間擁有多年經(jīng)驗(yàn)的高科技設(shè)備分銷商,主要為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、半導(dǎo)體、光通訊、高校及研發(fā)中心提供各類測(cè)量設(shè)備、工序設(shè)備以及相應(yīng)的技術(shù)支持,并與一些重要的客戶建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。自1989年創(chuàng)立至今,岱美的產(chǎn)品以及各類服務(wù)、解決方案廣泛地運(yùn)用于香港,中國(guó)臺(tái)灣,中國(guó)大陸,泰國(guó),菲律賓,馬來(lái)西亞及新加坡等地區(qū)。

岱美在中國(guó)大陸地區(qū)主要銷售或提供技術(shù)支持的產(chǎn)品:

晶圓鍵合機(jī)、納米壓印設(shè)備、紫外光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、硅片清洗機(jī)、超薄晶圓處理設(shè)備、光學(xué)三維輪廓儀、硅穿孔TSV量測(cè)、非接觸式光學(xué)三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x、薄膜厚度檢測(cè)儀、主動(dòng)及被動(dòng)式防震臺(tái)系統(tǒng)、應(yīng)力檢測(cè)儀、電容式位移傳感器等。

岱美重要合作伙伴包括有:n&k Technology ; Veeco di, Wyko, Dektak, IBE, IBD, MTI; Imago; 4D; First Nano; GatanSagitta; AXIC; Tamarack; Thermo Noran; Magnetic Recording Solutions; Schmitt; EVG; Shb; SPTS; ADE; CETR; Contrade; DeWeyl; Filmetrics - Greater China; Global Optron; Herz; Innovative Instrumentation Incorporated; LESCO; Microphysics; OSC; Palomar; PPL JPS; Strasbaugh; Tru-Si; VIC; Westbond; Diamond Innovations; Innovative Organics;nPoint;Photonic Cleaning Technology

如有需要,請(qǐng)聯(lián)系我們,了解我們?nèi)绾伍_(kāi)始與您之間的合作,實(shí)現(xiàn)您的企業(yè)或者組織機(jī)構(gòu)長(zhǎng)期發(fā)展的目標(biāo)。

 

 

 

 

 

 

 

 

膜厚儀,輪廓儀,EVG鍵合機(jī),EVG光刻機(jī),HERZ隔震臺(tái),Microsense電容式位移傳感器

6EZ晶圓載具設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì):

·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料(如SiC)的經(jīng)驗(yàn)

·6EZ SiC拋光機(jī)是市場(chǎng)上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計(jì)的SiC CMP工具

·競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計(jì)的,這有一套非常不同的要求

·6EZ與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計(jì)


布局和功能:

綜合清潔站

·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學(xué)品

·高壓噴淋棒(10psi)


晶圓翻轉(zhuǎn)

·濕式機(jī)器人實(shí)現(xiàn)雙面拋光


濕式轉(zhuǎn)運(yùn)站

·DIW和化學(xué)沖洗

三臺(tái)200rpm拋光臺(tái),帶拋光臺(tái)和拋光墊冷卻(5ºC)

·專用載體、護(hù)墊調(diào)節(jié)劑和護(hù)墊清潔劑

·兩種漿料的流量控制器

·每張桌上的化學(xué)清潔劑(第三種漿料可選)


漿料分配臂

調(diào)節(jié)臂和盤片


優(yōu)化晶圓載體

·基于經(jīng)驗(yàn)證的ViPRR技術(shù)的設(shè)計(jì)


晶圓處理

·全自動(dòng)C2C晶圓

·邊緣抓握干式機(jī)器人搬運(yùn)

·最多50片晶圓,無(wú)需操作員干預(yù)


晶圓載體對(duì)照表

項(xiàng)目 6EZ(板+萬(wàn)向節(jié)) 競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(薄膜) 影響
晶圓載體設(shè)計(jì) 板+萬(wàn)向節(jié)設(shè)計(jì)(適用于SiC) 基于膜的設(shè)計(jì)(適用于硅薄膜) 6EZ從頭開(kāi)始為SiC設(shè)計(jì)
拋光下壓力 更高的"拋光下壓力"(設(shè)計(jì)強(qiáng)勁,無(wú)RR力) 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱,RR力降低拋光力) MRR
可靠性 穩(wěn)健設(shè)計(jì),可靠性高 膜可能會(huì)意外失效(破裂) 正常運(yùn)行時(shí)間,成本(膜成本高)
扣環(huán)設(shè)計(jì) 扣環(huán)不接觸拋光墊;沒(méi)有晶圓溢出
扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓)
下壓力 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) 較低的"拋光力"(超過(guò)RR所用力的一半) MRR
扣環(huán)磨損 襯墊上最小的RR磨損可延長(zhǎng)實(shí)用壽命 高RR磨損率降低使用壽命 正常運(yùn)行時(shí)間,成本
襯墊磨損 延長(zhǎng)極板壽命 RR摩擦縮短襯墊壽命 正常運(yùn)行時(shí)間,成本
襯墊調(diào)節(jié) 所需的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間更短 需要更多的襯墊調(diào)節(jié)時(shí)間 正常運(yùn)行時(shí)間,成本
熱量產(chǎn)生 扣環(huán)摩擦不會(huì)產(chǎn)生熱量 必須清除擋圈摩擦產(chǎn)生的熱量 薄膜設(shè)計(jì)具有更高的襯墊過(guò)熱風(fēng)險(xiǎn)(工藝風(fēng)險(xiǎn))
區(qū)域控制 晶圓上的2個(gè)區(qū)域,可調(diào)節(jié) 晶圓上的2個(gè)區(qū)域,可調(diào)節(jié)




 

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