RISE-300 自然氧化膜去除設(shè)備

1 產(chǎn)品概述:

   自然氧化膜去除設(shè)備是一種專門用于去除半導(dǎo)體晶圓、太陽(yáng)能電池板等表面自然形成的氧化膜的設(shè)備。這些氧化膜通常是由于材料暴露在空氣中與氧氣反應(yīng)而形成的，它們會(huì)影響后續(xù)工藝步驟的精度和效果，因此需要在特定工藝階段前進(jìn)行去除。自然氧化膜去除設(shè)備通過(guò)物理或化學(xué)方法，如等離子體刻蝕、化學(xué)清洗等，有效去除這些氧化膜，保證后續(xù)工藝的質(zhì)量。

2 設(shè)備用途：

自然氧化膜去除設(shè)備的主要用途包括：

1. 半導(dǎo)體制造：在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中，自然氧化膜去除設(shè)備用于去除晶圓表面的自然氧化層，為后續(xù)的沉積、光刻、刻蝕等工藝步驟提供干凈的表面。這對(duì)于保證芯片的性能和可靠性至關(guān)重要。

2. 太陽(yáng)能電池制造：在太陽(yáng)能電池板的生產(chǎn)中，自然氧化膜去除設(shè)備用于去除電池板表面的氧化膜，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

3. 微納加工：在微納加工領(lǐng)域，自然氧化膜去除設(shè)備也用于去除微納米結(jié)構(gòu)表面的氧化膜，保證加工精度和表面質(zhì)量。

3 設(shè)備特點(diǎn)

自然氧化膜去除設(shè)備通常具有以下特點(diǎn)：

1. 高精度：設(shè)備能夠精確控制去除氧化膜的厚度和均勻性，確保不會(huì)對(duì)基材造成損傷或過(guò)度去除。

2. 高效率：設(shè)備通常采用批量處理的方式，能夠同時(shí)處理多個(gè)晶圓或電池板，提高生產(chǎn)效率。

3. 低損傷：在去除氧化膜的過(guò)程中，設(shè)備采用溫和的物理或化學(xué)方法，避免對(duì)基材造成機(jī)械損傷或化學(xué)腐蝕。

4. 高穩(wěn)定性：設(shè)備具備穩(wěn)定的控制系統(tǒng)和精確的監(jiān)測(cè)裝置，能夠確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。

批處理式自然氧化膜去除設(shè)備RISE-300，該產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)：

• 高產(chǎn)率以及低運(yùn)行成本（CoO）。

• 具有良好的刻蝕均一性（小于±5%/批）和再現(xiàn)性。

• 采用干法刻蝕技術(shù)，具有Damage-Free的特點(diǎn)（如遠(yuǎn)端等離子、低溫工藝），減少了對(duì)基材的損傷。

• 自對(duì)準(zhǔn)接觸電阻僅為濕法的1/2，提高了工藝效率。

• 靈活的裝置布局和高維護(hù)性（方便的側(cè)面維護(hù)），降低了維護(hù)成本。

• 可處理200mm和300mm尺寸的晶圓，具有廣泛的應(yīng)用范圍。

4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

高產(chǎn)率以及低CoO

良好的刻蝕均一性（小于±5%/批）和再現(xiàn)性

干法刻蝕

Damage-Free（遠(yuǎn)端等離子、低溫工藝）

自對(duì)準(zhǔn)接觸電阻僅為濕法的1/2

靈活的裝置布局

高維護(hù)性（方便的側(cè)面維護(hù)）

300mm晶圓批處理：50枚/批