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汞CV測(cè)試MCV測(cè)試儀

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公司成立于2021年,是一家注冊(cè)在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測(cè)分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體,主要攻克國(guó)外壟斷技術(shù),替代進(jìn)口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀、方阻測(cè)試儀、硅片電阻率測(cè)試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀、遷移率(霍爾)測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)申請(qǐng)各項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng),已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑。





晶圓電阻率測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合

是一款汞探針CV自動(dòng)圖形掃描測(cè)量系統(tǒng)。它使用高頻CV測(cè)量分析系統(tǒng),可以對(duì)75mm、100mm、125mm、150mm、200mm(以及300mm)直徑的測(cè)試片進(jìn)行測(cè)量和自動(dòng)成圖。該系統(tǒng)采用的汞探針設(shè)計(jì),從而允許測(cè)試片正面朝上,相比于傳統(tǒng)的汞探針測(cè)試系統(tǒng)將測(cè)試片正面朝下吸附在樣品臺(tái)上而言,該設(shè)計(jì)能夠避免在成圖測(cè)量時(shí)的表面沾污和破壞。探針的CV系統(tǒng)是一種雙極測(cè)試設(shè)備,兩個(gè)接口被分別連接在樣品的兩個(gè)電極上。實(shí)際的CV測(cè)試包括兩個(gè)方面:在樣品電極上施加反向(或正向)偏置電壓;測(cè)試兩個(gè)接口之間的電容。

金屬電極和耗盡區(qū)構(gòu)成一個(gè)極板電容,這和兩塊金屬板構(gòu)成的空氣電容類似。當(dāng)反偏電壓越來越大時(shí),耗盡層越來越深,對(duì)應(yīng)的電容會(huì)越來越小。從測(cè)到的電容電壓數(shù)據(jù)對(duì),我們可以分析計(jì)算出摻雜濃度隨深度的變化曲線。從得到的曲線可以進(jìn)一步判斷摻雜濃度在深度分布上是否均勻等


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