在霍爾效應(yīng)傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公...

在霍爾效應(yīng)傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

即少數(shù)載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產(chǎn)生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子（因為...

外延電阻率方阻測試儀：外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延...

襯底電阻率方阻測試儀：襯底，或稱基片（substrate），是指在半導體器件制造過程中用來支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機械強度、...

玻璃方阻測試儀應(yīng)用ITO導電玻璃的時候，往往會提到一個重要的參數(shù)，這個參數(shù)就是：方阻，也稱方塊電阻。同時，我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。

金屬薄膜方阻測試儀：金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻...

氧化鎵電阻率方阻測試儀：Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用...

氮化鎵電阻率方阻測試儀：氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極...

碳化硅電阻率方阻測試儀：1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關(guān)，還和導體的溫度有關(guān)。在溫度變化不大的范圍內(nèi)：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at...

晶圓電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

硅片電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來獲得少數(shù)載流子擴散長度的方...

無損方塊電阻測試儀包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁場。電渦流技術(shù)不依...

晶錠非接觸方阻測試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長條狀的半導體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的...

晶錠渦流法電阻率測試儀：電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質(zhì)...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統(tǒng)。它使用高頻CV測量分析系統(tǒng)，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進...