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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>光學儀器及設(shè)備>光學顯微鏡>紅外顯微鏡>MIR100 近紅外顯微鏡

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MIR100 近紅外顯微鏡

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 蘇州卡斯圖電子有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 MIR100
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時間 2025/1/22 21:08:58
  • 訪問次數(shù) 30

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蘇州卡斯圖電子有限公司立足光學檢測分析技術(shù),為客戶提供應用型解決方案。

公司主營3D數(shù)碼顯微鏡、體視顯微鏡,金相顯微鏡,測量顯微鏡、光譜儀等;并提供機器視覺產(chǎn)品的開發(fā)和定制;產(chǎn)品涵蓋國內(nèi)外眾多品牌的專業(yè)量測儀器設(shè)備,擅長在長度測量,角度測量,粗糙度測量,輪廓度測量,產(chǎn)品外觀檢驗,材料的力學分析、元素分析,硬度檢驗等實驗室專業(yè)實驗設(shè)備。

針對我公司銷售的產(chǎn)品,我們提供專業(yè)的售后服務及技術(shù)支持,可以改造和維修客戶舊設(shè)備和舊機器,升級或者改裝客戶原有的設(shè)備,聯(lián)合專業(yè)廠家推出測量儀定制銷售,可以根據(jù)客戶的需求,非標定做專業(yè)的在線檢測或者快速檢測設(shè)備,為廣大客戶生產(chǎn)過程提供便捷,穩(wěn)定的檢測方法和檢測手段,愿我們的努力能為您公司的發(fā)展增磚添瓦。

地址:蘇州市吳中區(qū)木瀆鎮(zhèn)康健路1號



IR片自動檢測機、自動檢測生產(chǎn)線、平面輪廓掃描儀、布料檢測設(shè)備、 鍍膜、孔隙率檢測、K-Q1全自動表面測量、XS-1線序自動檢測儀、體視顯微鏡、視頻顯微鏡、金相顯微鏡、金相實驗室、硬度計、影像測量儀、卡尺工具

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 50萬-100萬
應用領(lǐng)域 環(huán)保,地礦,能源,電子,航天

MIR全系列工業(yè)顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸,能夠穿透樣品表面,進行無損觀察檢測,檢測效果好、速度快,大幅提升了客戶效率。本系列顯微鏡可根據(jù)客戶要求定制濾片、鏡頭、相機、平臺,可搭配自動傳動設(shè)備。

MIR100紅外顯微鏡——VECSEL芯片無損紅外透視顯微解決方案


第二代半導體(硅基)

20世紀90年代以來,隨著移動通信的快速發(fā)展,以光纖通信和互聯(lián)網(wǎng)為基礎(chǔ)的信息高速公路的興起,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導體材料開始涌現(xiàn)。


垂直腔面發(fā)射激光器(vertical cavity surface emitting laser),VMK系列、MM系列近紅外2D、2.5D多年來服務于技術(shù)量產(chǎn)VECSEL芯片企業(yè)的研發(fā)、品檢、生產(chǎn)中,提供了高性價比的VECSEL全設(shè)計波段無損檢測解決方案。

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,簡稱VCSEL,又譯垂直共振腔面射型激光)是一種半導體,其激光垂直于頂面射出,與一般用切開的獨立芯片制程,激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。常規(guī)的金相顯微鏡無法觀測VECSEL產(chǎn)品,以下為近紅外顯微鏡MIR100拍攝的圖片

1.1可見光VCSEL氧化孔徑效果圖


1.2 MIR100近紅外顯微鏡VCSEL氧化孔徑效果圖

2.1可見光VCSEL氧化孔徑效果圖

2.2 MIR100近紅外顯微鏡VCSEL氧化孔徑效果圖

封裝芯片,晶圓級CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,透過硅觀察IC芯片內(nèi)部

IR近紅外線顯微鏡,可以對SiP(System in Package),三維組裝,CSP(Chip Size Package)等用可視觀察無法看到的領(lǐng)域進行無損檢查和分析

正置紅外顯微鏡,專用紅外硅片檢測顯微鏡,硅襯底的CSP觀察


紅外金相顯微鏡可觀察:Vcsel芯片隱裂(cracks),InGaAs瑕疵紅外無損檢測,LED LD芯片出光面積測量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內(nèi)部缺陷,焊點檢查,

鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標記重合誤差無損測量,可以定制開發(fā)軟件模塊快速自動測量重合誤差,硅基半導體Wafer,碲化鎘CdTe ,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無損紅外檢測,太陽能電池組件綜合缺陷紅外檢測,LCD RGB像元面積測量


IR顯微鏡可用于透過硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,通過紅外顯微鏡對硅片穿透可觀察晶體生長過程中的位錯,隱裂痕,芯片劃片封裝的不良。
















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