濕法去膠機 半導體工藝
| 參考價 | ￥ 10000 |
| 訂貨量 | ≥1臺 |
具體成交價以合同協(xié)議為準
- 公司名稱 蘇州芯矽電子科技有限公司
- 品牌 芯矽科技
- 型號
- 產地 蘇州市工業(yè)園區(qū)江浦路41號
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2025/7/22 17:11:24
- 訪問次數(shù) 5
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| 非標定制 | 根據(jù)客戶需求定制 |
|---|
一、核心功能與工藝定位
濕法去膠機是半導體制造前道工藝（如光刻、刻蝕）與后道封裝環(huán)節(jié)的重要設備，主要用于去除晶圓表面的光刻膠（Photoresist）。其通過化學溶劑溶解、超聲振動或噴淋沖洗等物理化學結合的方式，高效清除殘留膠體及衍生物，確保晶圓表面潔凈度滿足后續(xù)制程要求。在制程中，去膠效果直接影響圖形轉移精度、層間附著力及電學性能，是保障芯片良率的關鍵步驟。
二、技術原理與分類
化學溶劑體系
有機溶劑：常用N-甲基吡咯烷酮（NMP）、丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或臭氧水（環(huán)保型），通過溶解光刻膠的聚合物鏈實現(xiàn)去除。
添加劑調控：加入表面活性劑增強潤濕性，或通過pH調節(jié)控制腐蝕速率（如針對含金屬的光刻膠）。
去膠方式
浸泡式：晶圓浸入溶劑槽，適用于小尺寸或低產能需求，但易受污染。
噴淋式：高壓噴淋實現(xiàn)均勻覆蓋，適合大尺寸晶圓（如12英寸），配合旋轉晶舟提升邊緣清洗效果。
超聲波輔助：兆聲波（1-3MHz）空化效應增強膠體剝離，用于頑固膠渣或高深寬比結構。
三、關鍵性能指標
| 參數(shù) | 要求 |
|---|---|
| 去膠效率 | ≤5分鐘（視膠厚而定），避免溶劑過度侵蝕 |
| 顆?？刂?/td> | ≥0.5μm顆粒數(shù)＜50顆/cm2（符合SEMI F33標準） |
| 金屬污染 | Fe/Cr/Cu等含量＜1ppb（原子吸收光譜檢測） |
| 均勻性 | 全晶圓厚度差異＜5%（激光干涉儀檢測） |
四、應用場景與工藝挑戰(zhàn)
前段光刻工藝：需去除正性或負性光刻膠，避免殘留導致圖形畸變或刻蝕不均。
后端封裝環(huán)節(jié)：去除切割后芯片表面的保護膠，防止封裝界面分層。
制程難點：
高深寬比結構：如FinFET器件的狹窄溝槽，需兆聲波+化學腐蝕協(xié)同處理。
低k介質兼容性：去膠液需避免損傷多孔低介電材料（如SiOC）。
環(huán)保壓力：傳統(tǒng)NMP溶劑毒性高，推動水性或生物降解溶劑研發(fā)。
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