光子輻射顯微鏡是為集成電路失效分析設(shè)計(jì)的Photoemission光子輻射定位系統(tǒng),,可采集集成電路背部發(fā)射的紅外光子,觀察分析半導(dǎo)體的光子輻射,進(jìn)而對(duì)半導(dǎo)體集成電路失效分析測(cè)試。

光子輻射Photoemission視圖可幫助用戶定位工作中的集成電路晶體管,確定重要的有效區(qū)域,并確定執(zhí)行故障注入和/或定位側(cè)槽工具。

光子輻射顯微鏡具有如下兩種觀察模式：

標(biāo)準(zhǔn)紅外成像模式：可從集成電路背部透過硅觀察集成電路(如下圖1）

光發(fā)射成像模式：可觀察集成電路元器件的光電發(fā)射輻射（如下圖2）

上述兩種圖像可重疊起來,更好觀測(cè)失效的電子元器件Z（如下圖3）

圖1：集成電路背部的紅外成像圖

圖2： 光子輻射模式成像圖

圖3： 光子輻射圖與紅外成像圖的疊加

光子輻射顯微鏡特點(diǎn)

非常適合集成電路背部光子輻射觀測(cè)

快速工作能力，僅僅需要數(shù)百毫秒就可獲得高質(zhì)量光子輻射圖像

可添加激光注入故障分析模塊功能

多種相機(jī)供選擇

光子輻射顯微鏡規(guī)格參數(shù)

光譜范圍：900-1700nm

分辨率：640x512像素

像素大小：15um x 15um

制冷方式：TEC