硅錠壽命測量儀是精確的非接觸式測量本體壽命的儀器,適合任意生長硅錠表面任意曲率半徑硅錠測量壽命。也適合單晶硅硅錠和多晶硅硅錠壽命測量。
硅錠壽命測量儀特點

壽命1-10+ms壽命范圍的高純硅測量

測量B-Cz硅生長，不要表面處理

對于多晶硅模塊，可給出壽命和陷阱密度等數(shù)據(jù)。

探測B-O缺陷，鐵污染和表面損傷等

監(jiān)控初始材料在Cz, Fz,多多晶硅或UMG硅的質(zhì)量

硅錠壽命測量儀規(guī)格參數(shù)

測量指標：壽命，電阻率和trap density

壽命測量范圍：100ns~10ms

電阻率測量范圍：0.5~300Ohm-cm

測量分析模式：QSSPC,瞬態(tài)，壽命分析

光偏置范圍：0-50suns

樣品表面：平整表面或者150mm直徑以內(nèi)的多種表面

典型校準范圍：10^13-10^16 cm^-3

光譜：白光和IR光照明

傳感器面積：45x 15mm

測量深度：3mm

工作溫度：20~25度