獨(dú)立式化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)是一個(gè)易于使用的系統(tǒng)，用于均勻沉積薄膜材料，包括半導(dǎo)體、碳化硅（SiC）、金屬基板上的氧化物、碳化物、氮化物等。得到的薄膜表現(xiàn)出優(yōu)異的均勻性和良好的階梯覆蓋。化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)也可用于合成納米材料，例如碳納米管，石墨烯、半導(dǎo)體納米線。
獨(dú)立式化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)包括一個(gè)具有長(zhǎng)均勻加熱區(qū)的CVD爐、一個(gè)混合氣體模塊由質(zhì)量流量計(jì)和真空模塊控制。系統(tǒng)連接器使用不銹鋼法蘭和高溫O形密封圈密封。爐子在滑動(dòng)導(dǎo)軌便于移動(dòng)，便于快速冷卻。氣體模塊最多可混合三種氣體由質(zhì)量流量計(jì)監(jiān)測(cè)的源。配備兩級(jí)旋轉(zhuǎn)式/分子真空泵，系統(tǒng)真空可達(dá)。
金屬、半導(dǎo)體和介電材料至關(guān)重要電子設(shè)備組件（如高效太陽(yáng)能電池板、存儲(chǔ)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)芯片和各種高性能工具）通常通過(guò)化學(xué)方法制造氣相沉積?；瘜W(xué)前體在這些方面起著非常關(guān)鍵的作用器件制造和Chemat提供了廣泛的高純度CVD用于這些應(yīng)用的前體。這些前體是包裝在不銹鋼氣泡中，可輕松連接到化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)?？捎玫那绑w有制造金屬的金屬醇鹽、烷基酰胺和乙酰丙酮氧化物、氮化物和金屬。
獨(dú)立式化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
爐子部分
最大溫度：1200℃
加熱區(qū)域：270mm
均勻加熱區(qū)域：100mm
石英管直徑：40/60/80/100mm可選
石英管長(zhǎng)度：1000mm
滑軌長(zhǎng)度：820mm
氣體混合模塊
氣源：3個(gè)
氣源控制：質(zhì)量流量計(jì)
范圍：0-1 SLM
真空模塊
真空：旋轉(zhuǎn)/分子 2級(jí)泵
最大真空：6x10^-3 Pa
真空顯示：數(shù)字