碳化硅SiC長(zhǎng)晶設(shè)備 返回列表頁

碳化硅SiC長(zhǎng)晶設(shè)備

是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業(yè)設(shè)備。廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長(zhǎng)、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域。可以生長(zhǎng)6/8英寸的晶錠。

碳化硅SiC長(zhǎng)晶設(shè)備

真空爐腔系統(tǒng)較為限本底真空值達(dá)到≤5.0E-5Pa，升壓率≤3Pa/12h，保證晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性

．智能化生長(zhǎng)及監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)多種制程精確定制，工藝優(yōu)化，長(zhǎng)晶全過程實(shí)時(shí)監(jiān)控，數(shù)據(jù)可視化存檔

．新型感應(yīng)加熱線圈設(shè)計(jì)，有效提高熱場(chǎng)加熱的均勻性和穩(wěn)定性
．業(yè)內(nèi)1st創(chuàng)的PIM自檢系統(tǒng)，有效減免制程時(shí)間浪費(fèi)
．穩(wěn)定可靠的水冷系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了水道管路溫度、流量的實(shí)時(shí)監(jiān)控，保證了生長(zhǎng)室溫場(chǎng)的穩(wěn)定性
．可生產(chǎn)6英寸P級(jí)碳化硅襯底，微管缺陷密度＜0.5個(gè)／cm²，電阻率達(dá)0.015-0.0280