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VIL1000激光干涉光刻機
VIL系列納米圖形系統(tǒng)（激光干涉光刻機）具有快速可重構(gòu)光束傳輸、主動圖形穩(wěn)定和精確樣品定位等強大功能。該系統(tǒng)可以通過使用標準2cm×2cm正方形或用戶定義形狀的圖案場進行重復曝光，在8英寸大面積上產(chǎn)生各種納米結(jié)構(gòu)，例如1D光柵線和2D柱/孔圖案，周期從240 nm到1500 nm。

VIL1000激光干涉光刻機

1、可實現(xiàn)同一晶圓上不同納米結(jié)構(gòu)的分區(qū)光刻；

2、制作各種一維、二維納米圖案；

3、最小線寬低于50nm；

4、與其他同類設(shè)備的功能對比圖如下：

	電子束直寫	激光直寫	紫外光刻機	激光干涉光刻機
設(shè)備示例
代表廠商	德國的Raith和Vistec, 日本的JEOL和Elionix	海德堡和Raith	Eulitha	InterLitho
代表性產(chǎn)品型號	Raith EBPG Plus	海德堡 DWL 66+	Eulitha PhableR 100	VIL1000
主要用途	高分辨率掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)的制備	對分辨率要求不高的掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)制備	分辨率適中的納米結(jié)構(gòu)制備	大面積、低成本、高通量制備高分辨率周期性納米結(jié)構(gòu)，用于微納光學、生物芯片等新興應用
刻寫的最小物理線寬	<10nm	~300nm	60nm	40nm
價格和維護成本	高	中	中	較低
自動化程度	全自動	全自動	部分手動	全自動
設(shè)備效率	低	低	高	高
需要掩模	否	否	是	否
特征尺寸調(diào)制難度	難，樣品需要重新刻寫	難，樣品需要重新刻寫	難，需要重新刻寫模板	容易，幾分鐘可實現(xiàn)

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