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該儀器是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）測(cè)試儀器......
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
四探針測(cè)試儀 LY.4-SDY-4 概述：
LY.4-SDY-4型四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）測(cè)試儀器.
儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,采用平面輕觸式開關(guān)控制,及各種工作狀態(tài)LED指示.應(yīng)用微計(jì)算機(jī)技術(shù)，利用HQ-710E型測(cè)量數(shù)據(jù)處理器，使得測(cè)量讀數(shù)更加直觀、快速，并能實(shí)現(xiàn)晶片厚度自行修正，打印出全部預(yù)置和測(cè)量、計(jì)算數(shù)據(jù)。整套儀器體積小、功耗低、測(cè)量精度高、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。
LY.4-SDY4四探針測(cè)試儀 本儀器可滿足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對(duì)材料（棒材、片材）電阻率及擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊電阻測(cè)量的需要。
四探針測(cè)試儀 LY.4-SDY-4 技術(shù)指標(biāo)：
1 測(cè)量范圍: 電阻率:0.001-200Ω.cm（可擴(kuò)展）;
方塊電阻:0.01-2000Ω/口（可擴(kuò)展）;
2 可測(cè)晶片直徑（zui大）:100mm（配J-2B型手動(dòng)測(cè)試臺(tái)）
200mm（配J-51型手動(dòng)測(cè)試臺(tái)）
3 恒流源:電流量程分為0.1、1、10、100（mA）四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào).誤差<±0.3%
4 數(shù)字電壓表:
量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、小數(shù)點(diǎn)、超量程自動(dòng)顯示。
輸入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.
5 zui大電阻測(cè)量誤差（按JJG508-87進(jìn)行）:0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
6 四探針探頭:
間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻≥1000MΩ;機(jī)械游移率:≤0.3%
探針壓力:TZT-9A/9B: 12-16牛頓（總力） TZT-9C/9D 5-8 牛頓（總力）
7 整機(jī)不確定度:（用硅標(biāo)樣片測(cè)試）≤5% （0.01-180Ω.cm）
8 外形尺寸:電氣主機(jī):360mm×320mm×100mm；數(shù)據(jù)處理器：300mm×210mm×105mm
9 數(shù)據(jù)處理器功能:
A 鍵盤控制測(cè)量取數(shù),自動(dòng)進(jìn)行電流換向,并進(jìn)行正反向電流下的電阻率（或方塊電阻）測(cè)量,顯示出平均值.測(cè)薄片時(shí),可自動(dòng)進(jìn)行厚度修正;
B 鍵盤控制數(shù)據(jù)處理,運(yùn)算電阻率平均值和電阻率值z(mì)ui大百分變化及平均百分變化;
C 鍵盤控制打印全部測(cè)量數(shù)據(jù).測(cè)量條件、zui大電阻率值、zui小電阻率值、電阻率zui大百分變化及平均百分變化。
10 儀器重量：電氣主機(jī)：約4kg；測(cè)試臺(tái)：約10kg，數(shù)據(jù)處理器：約2.5kg
11 測(cè)試環(huán)境：溫度23±2℃；相對(duì)濕度≤65％；無高頻干擾；無強(qiáng)光照射。