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*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于 測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；......
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產品簡介
詳細介紹
單晶少子壽命測試儀 LY.4-LT-3 特點:
*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于 測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；
*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；
余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍數(shù)約25；
*.測量方式：采用對標準曲線讀數(shù)方式；