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目錄:科睿設(shè)備有限公司>>半導(dǎo)體材料表征>> 深能級(jí)瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征
  • 深能級(jí)瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征
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  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
屬性

產(chǎn)地類別:進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域:能源,電子,電氣

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更新時(shí)間:2025-02-27 14:44:25瀏覽次數(shù):2237評(píng)價(jià)

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深能級(jí)瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征
半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容(△C~t)技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀(DLTS)
    深能級(jí)瞬態(tài)譜(Deep Level Transient Spectroscopy)是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容(△C~t)技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜,是一種具有*檢測(cè)靈敏度(檢測(cè)靈敏度通常為半導(dǎo)體材料中摻雜濟(jì)濃度的萬(wàn)分之一)的實(shí)驗(yàn)方法,能檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。通過(guò)對(duì)樣品的溫度掃描,可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS 譜。集成多種全自動(dòng)的測(cè)量模式及全面的數(shù)據(jù)分析,可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。
    Semetrol DLTS集成多種自動(dòng)的測(cè)量模式及全面的數(shù)據(jù)分析,可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布,也可用于光伏太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中,分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位,確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測(cè)量界面態(tài)速度快,精度高,是生產(chǎn)和科研中可廣為應(yīng)用的測(cè)試技術(shù).

主要特點(diǎn) :
• 自動(dòng)連線檢測(cè);
• 自動(dòng)電容補(bǔ)償功能;
• 探測(cè)靈敏度高
• 瞬態(tài)電流測(cè)量;
• 傅里葉轉(zhuǎn)化功能;
• 深能級(jí)瞬態(tài)譜分析;
   
應(yīng)用領(lǐng)域 :
•檢測(cè)Si、ZnO、GaN等半導(dǎo)體材料中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。



深能級(jí)瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

Semetrol DLTS系統(tǒng)配置:
- 脈沖發(fā)生器
電壓范圍: ±20.4 V (±102 V opt.)
脈沖寬度:1 µs - 1000 s
- 電容測(cè)量
高頻信號(hào)100 mV @ 1 MHz (20 mV 可選)
電容范圍 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自動(dòng)或手動(dòng))
靈敏度 0.01 fF
- 電壓測(cè)量:
范圍 ±10 V
靈敏度 < 1 µV

溫度范圍:30K~450K
電阻范圍:0.1 mOhm - 10 GOhm



多種測(cè)量模式:
  C-DLTS(電容模式)
  CC-DLTS (定電容模式)
  I-DLTS (電流模式)
  DD-DLTS (雙關(guān)聯(lián)模式)
  Zerbst-DLTS (Zerbst模式)
  O-DLTS (光激發(fā)模式)
  FET-Analysis (FET分析)
  MOS-Analysis (MOS分析)
  ITS (等溫瞬態(tài)譜)
  Trap profiling
  CCSM(俘獲截面測(cè)量)
  I/V,I/V(T) (查理森Plot分析)
  C/V, C/V(T)
  TSC/TSCAP
  PITS (光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜)
  DLOS (特殊系統(tǒng))


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