污染晶圓標準品、校準晶圓標準品和二氧化硅顆粒晶圓標準品使用顆粒沉積系統(tǒng)生產(chǎn)，該系統(tǒng)將首先使用差分遷移率分析儀（DMA）分析PSL尺寸峰或二氧化硅尺寸峰。DMA是一種高精度顆粒掃描工具，結(jié)合凝聚態(tài)粒子計數(shù)器和計算機控制，基于NIST可追溯粒徑校準分離出高精度粒徑峰。一旦尺寸峰得到驗證，粒度流就被引導到主硅、晶圓標準表面。顆粒在沉積在晶圓表面上之前被計數(shù)，通常是在晶圓上全部沉積?；蛘?，可以在晶圓周圍的特定位置沉積多達 8 個粒徑作為點沉積。晶圓標準品為KLA-Tencor Surfscan SP1、KLA-Tencor Surfscan SP2、KLA-Tencor Surfscan SP3、KLA-Tencor Surfscan SP5、Surfscan SPx、Tencor 6420、Tencor 6220、Tencor 6200、ADE、Hitachi和Topcon SSIS工具和晶圓檢測系統(tǒng)的尺寸校準提供高精度的尺寸峰。
PSL球體尺寸標準品和二氧化硅尺寸標準液由差分遷移率分析儀掃描，以確定真正的尺寸峰。一旦分析了尺寸峰，就可以將晶圓標準品沉積為全沉積或點沉積，或多點沉積晶圓標準品。掃描上方100納米（0.1微米）處的二氧化硅尺寸峰，DMA在101nm處檢測到真正的二氧化硅尺寸峰。
全沉積或點沉積晶圓標準品–顆粒沉積系統(tǒng)提供高精度的PSL校準晶圓標準品和二氧化硅污染晶圓標準品。
我們的 2300 XP1 顆粒沉積系統(tǒng)提供自動顆粒沉積控制，以生成您的 PSL 晶圓標準品和二氧化硅晶圓標準品。
高分辨率、NIST 可追溯的 DMA（差分遷移率分析儀）選型和分類超過了新的 SEMI 標準 M52、M53 和 M58 協(xié)議，以實現(xiàn) PSL 尺寸精度和尺寸分布寬度
在 60nm、100nm、269nm 和 900nm 處自動校準沉積尺寸
先進的差動率分析儀（DMA）技術(shù)，具有自動溫度和壓力補償功能，可提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和測量精度
自動沉積工藝可在一個晶圓上提供多個點沉積
整個晶圓上的完整晶圓沉積;或在晶圓上的任何位置進行點沉積
高靈敏度允許PSL球和二氧化硅顆粒沉積從20nm到2um
沉積二氧化硅顆粒，用于使用高功率激光掃描校準晶圓檢測系統(tǒng)
存放PSL球體，以便使用低功率激光掃描校準晶圓檢測系統(tǒng)
將PSL球體和二氧化硅顆粒沉積在主要硅晶圓標準品或150mm光掩模上。
顆粒沉積工具用于在晶圓標準品上沉積非常精確的PSL尺寸標準品或二氧化硅粒徑標準品，以校準各種晶圓檢測系統(tǒng)。
PSL校準晶圓標準，用于校準使用低功率激光器掃描晶圓的晶圓檢測系統(tǒng)。
二氧化硅污染晶圓標準，用于校準使用高功率激光器掃描晶圓的晶圓檢測系統(tǒng)。
我們的 2300 XP1 在 75mm 至 300mm 晶圓直徑的硼硅酸鹽掩模和優(yōu)質(zhì)硅上沉積 NIST 可追溯、經(jīng)過認證的掩模標準。
125mm 和 150mm 模板上的 PSL 校準模板標準
150mm口罩上的二氧化硅污染標準
75mm至300mm校準晶圓標準
75mm至300mm二氧化硅污染晶圓標準
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