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單離子注入聚焦離子束測試設(shè)備
量子和納米級材料工程的先進平臺
Q-One™是先進的聚焦離子束平臺，用于先進的器件制造和納米級材料工程。Q-One具有確定性單離子注入功能，是第一臺專門為滿足量子研究的苛刻要求而設(shè)計的儀器。
主要特點：
高分辨率質(zhì)量過濾聚焦離子束
確定性單離子檢測，檢測效率高達98%
可選擇液態(tài)金屬或等離子離子源
離子選擇和廣泛的植入物種類
飛安級光束電流，可實現(xiàn)精確的單離子事件
納米級精密載物臺，可處理高達 6 英寸的晶圓
專有的注入和光刻軟件
確定性單離子注入意味著以令人難以置信的精度將單個離子放入底物中，并知道已經(jīng)發(fā)生了注入。Q-One使用超靈敏植入后檢測系統(tǒng)技術(shù)來檢測每次離子撞擊時產(chǎn)生的信號。
單離子注入聚焦離子束測試設(shè)備Q-One提供廣泛的植入元件。液態(tài)金屬離子源（LMIS）技術(shù)在單個源中產(chǎn)生不同元素的多個離子，包括團簇和多電荷物種。
有幾種合金成分可供選擇，包括硅、鉺、釹、金和鉍。利用我們多年的專業(yè)知識，我們確保每個源頭都以最佳方式流動，以實現(xiàn)最大的穩(wěn)定性。單獨的等離子體離子源也可用于氫、氮、氧和其他氣態(tài)元素。
應(yīng)用
量子技術(shù)
嵌入半導體矩陣中的單個雜質(zhì)原子作為量子比特（量子比特）顯示出巨大的前景。單離子注入能夠產(chǎn)生大量相同的量子比特陣列，是可重復(fù)制造這些和其他量子器件的關(guān)鍵途徑。
然而，公差是最小的——每個原子必須非常精確地放置，有時距離其鄰居只有20納米。Q-One是針對此應(yīng)用而設(shè)計的工具，其規(guī)格針對這些要求。
應(yīng)用
摻雜納米材料
Q-One不僅限于注入單個離子。將任何所需的離子劑量植入任何位置，甚至可以使用專有軟件植入自定義區(qū)域或形狀。
摻雜納米材料，如納米線或具有不同元素的量子點，可以改變其性質(zhì)。Q-One通過允許您靶向單個納米材料并使用各種摻雜劑探索不同的行為，開辟了一個充滿可能性的世界。
應(yīng)用
離子光刻
Q-One允許用戶執(zhí)行直接寫入光刻，就像普通FIB一樣，但種類范圍更廣，離子劑量控制更好。使用鉍等重元素進行高效濺射，或使用氫等輕元素進行基于光刻膠的離子光刻，甚至包括單離子事件。
如果沒有檢測每個注入事件的方法，就不可能精確地注入單個離子。系統(tǒng)提供速度和可擴展性，不需要復(fù)雜的預(yù)制。因此，您可以不受阻礙地選擇植入物種類和目標材料。
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