射頻磁控濺射鍍膜裝置 

型號；KY-HRM-1

產(chǎn)品編號：TC-003271

可開設的實驗

1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理；

2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍；

3、磁控濺射法制備金屬膜、半導體膜、化合物膜、介質膜等薄膜。

主要技術參數(shù)

    1、濺射鍍膜室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm³；

    2、濺射鍍膜室本底真空：≤1Pa；濺射腔限真空：6×10^-1Pa；

    3、濺射靶：Φ50mm，濺射靶臺和濺射靶可調距離：20～60mm；

    4、基片加熱溫度可控范圍：室溫～300℃；

5、射頻源功率：500W，13.56MHz；

6、氣路系統(tǒng)：由兩路轉子流量計控制（可選配質量流量計）；

    7、真空系統(tǒng)：2XZ-4型旋片真空泵，抽氣速率：4L/S，單相220V交流電源供電；

    8、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警，并執(zhí)行相應保護措施；

    9、供電電源：AC220V，50Hz，整機功率2KW。

射頻磁控濺射鍍膜裝置 型號：RT-RM-1

主要用途：本設備主要用于大專院校研究和開發(fā)納米級單層膜；如各種硬質膜、金屬膜；也可以是非金屬、化合物等薄膜材料?？梢赃M行直接濺射，亦可以實現(xiàn)反應濺射。

主要特點：結構簡捷、操作簡便，真空度維護高，安全可靠。

鍍膜機應安裝在干凈無塵埃、無腐蝕性氣體的室內，并具備清潔水源、及220V的穩(wěn)定電壓等條件的地方。

1、地面的基本水平度要經(jīng)過調整，不得高低不平；

2、環(huán)境溫度：10℃～30℃；

3、相對濕度：不大于75%；

4、耗水量（進水溫度≤25℃，2.5Kg≥水壓≥1.5Kg）：約0.2T/h；

5、水質要求：

矽酸硬度<6度，PH值：7－8，電導率：200us/cm,沉積率：<200mg/L。

6、電壓： 220V，50H_Z，

電壓波動范圍： 198～231V；

頻率波動范圍：49～51Hz;

7、水壓：0.3～1Kg/cm²或0.03～0.1MPa/cm²;

8、充入氣體純度99.9%或以上;

9、鍍膜用耗材純度99.9%或以上。

設備規(guī)格參數(shù)

1.1、濺射處理室：

       1、鐘罩：內徑225mm×高度260mm；

       2、試樣臺：直徑80mm（zui大）；

       3、試樣旋轉：靜止；

       4、擋板：手動；

       5、襯底加熱器：不銹鋼加熱器（DC24V）；

       6、襯底溫度范圍：室溫～200℃；

       7、襯底可調距離：20mm～60mm；

       8、濺射室限真空：0.5Pa

1.2、真空系統(tǒng)：

       1、抽氣系統(tǒng)：由機械泵組成的一級真空系統(tǒng)；抽氣速率：4升/S

       2、真空檢測：電阻真空計、電阻規(guī)；

       3、常用真空度：1～20Pa

       4、操作：手動

1.3、濺射電源：

1、射頻電源：頻率13.560MHZ,功率：500W，用表指示；

2、阻抗匹配器范圍：（2.7～45）Ω-j（0～70）Ω； 

3、供電：AC 220V；

4、冷卻方式：風冷；

  1.4、 磁控靶：

1、靶材直徑：Ф50mm、 一個永磁靶；

2、靶材厚度：3～6mm；

1.5、進氣系統(tǒng)：2路轉子流量計進氣，

1.6、電源要求：AC 220V  50Hz  10A

1.7、氣體要求：氬氣--純度99.9%(樣品有特殊要求時使用高純)

1.8、冷卻要求：靶體水冷，濺射電源風冷

1.9、體積重量：體積：L550mm×W680mm×H1480mm；約120kg

產(chǎn)品名稱：基本型電解雙噴儀  產(chǎn)品型號：TJ100-BE

基本型電解雙噴儀  型號：TJ100-BE

TJ100－BE型電解雙噴儀是一款簡單實用的基本型電解雙噴減薄設備。采購磁子驅動電解液涌流進行噴射拋光，拋光電壓、破孔感光值、泵流速度旋扭可調，具有穿孔自動報警功能。能夠使用少量電解液，液氮冷卻方式，簡單快速方便地進行金屬的電鏡樣品制備。 

產(chǎn)品性能特點: 
　 加液氮制冷方式，控制盒與電解槽分開控制，拋光破孔自動報警 
　拋光電壓、電流值液晶數(shù)字顯示 
　拋光電壓、破孔感光值及泵流速度旋鈕可調 
　磁力涌流式噴射拋光，進口PVC材料整體成型加工，無泄漏風險 
　直流無刷驅動電機封閉隔離式設計，電機使用壽命長，穩(wěn)定性好 
　電解電壓范圍:0-110V，電解電流:0-2A