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目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>刻蝕機>> RIE Etchlab 200等離子刻蝕機

等離子刻蝕機
  • 等離子刻蝕機
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 RIE Etchlab 200
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 北京市
屬性

應(yīng)用領(lǐng)域:環(huán)保,化工,電子

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更新時間:2024-07-10 09:15:25瀏覽次數(shù):585評價

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RIE Etchlab 200等離子刻蝕機根據(jù)其模塊化設(shè)計,等離子蝕刻機Etchlab 200可升級為更大的真空泵組,預真空室和更多的氣路。

低成本效益高

RIE等離子蝕刻機Etchlab 200結(jié)合平行板等離子體源設(shè)計與直接置片。

升級擴展性

根據(jù)其模塊化設(shè)計,等離子蝕刻機Etchlab 200可升級為更大的真空泵組,預真空室和更多的氣路。

SENTECH控制軟件

等離子刻蝕機配備了用戶友好的強大軟件,具有模擬圖形用戶界面,參數(shù)窗口,工藝編輯窗口,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。


Etchlab 200 RIE等離子刻蝕機代表了直接置片家族,它結(jié)合了RIE的平行板電極設(shè)計和直接置片的成本效益設(shè)計的優(yōu)點。Etchlab 200的特征是簡單和快速的樣品加載,從零件到直徑為200mm或300mm的晶片直接加載到電極或載片器上。靈活性、模塊性和占地面積小是Etchlab 200 的設(shè)計特點。位于頂部電極和反應(yīng)腔體的診斷窗口可以方便地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于SENTECH原位橢偏儀進行原位監(jiān)測。

Etchlab 200等離子蝕刻機可以配置成用于刻蝕直接加載的材料,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半導體,介質(zhì)和金屬。

Etchlab 200通過先進的SENTECH控制軟件操作,使用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。

RIE plasma etcher with loadlockRIE plasma etcher Etchlab 200-300 for 300 mm wafersSENTECH control software for plasma equipmentSilicon micostructures etched by SF6 / O2 chemistryDeep anisotropic etching of silica with CHF2 / H2 chemistryEtching of SiO2 on silicon with CHF3 / H2 chemistryEtching of microfluidc structures in silicon


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