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更新時(shí)間：2025-01-07 16:39:32
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退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法。該制程包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達(dá)到不同的效果?？梢约訜峋约せ顡诫s劑，使沉積的膜至密化，并改變生長(zhǎng)的膜的狀態(tài)。暴露在高溫下可以修復(fù)損壞。該過(guò)程稱為退火。 爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨(dú)處理。
退火爐技術(shù)參數(shù)
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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| 配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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