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原子層沉積

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ALD 原子層沉積參考價(jià)：面議
ALD 原子層沉積原理通過(guò)在工藝循環(huán)周期內(nèi)分步向真空腔內(nèi)添加前驅(qū)體、實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度的精確控制。區(qū)別于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉積超薄的、無(wú)針孔和顆粒...
型號(hào)：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商所在地：北京市對(duì)比

ALD原子層沉積

2024/3/18 11:02:431893

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