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TF1200-PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

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  • 型號 TF1200-PECVD型
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 上海市
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更新時(shí)間:2018-11-09 11:34:33瀏覽次數(shù):508

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產(chǎn)品簡介

TF1200-PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品簡介:此款設(shè)備配有Plasma實(shí)現(xiàn)等離TF12子增強(qiáng),滑軌式設(shè)計(jì)在操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置,可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力,帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實(shí)用,工藝重復(fù)性好

詳細(xì)介紹

TF1200-PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品簡介此款設(shè)備配有Plasma實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng),滑軌式設(shè)計(jì)在操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置,可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力,帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實(shí)用,工藝重復(fù)性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗(yàn)。

主要功能和特點(diǎn):

 

1、利用輝光放電產(chǎn)生等離子體電子激活氣相;

2、提高了氣相反應(yīng)的沉積速率、成膜質(zhì)量;

3、可通過調(diào)整射頻電源頻率來控制沉積速率;

4、能廣泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

 

 

滑軌管式爐技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

石英管尺寸

L1400mm  Φ(60、80、100)

加熱元件

摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲

測溫元件

N型熱電偶

加熱區(qū)長度

440mm  

恒溫區(qū)長度

200mm

工作溫度

≤1100℃

控溫模式

模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報(bào)警功能

控溫精度

±1℃

升溫速率

≤20℃/min

電功率

AC220V/50HZ/3KW

質(zhì)量供氣系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

 

外形尺寸

600x600x600mm

標(biāo)準(zhǔn)量程

50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2;

壓力表測量范圍

-0.1Mpa~0.15Mpa

極限壓力

3MPa

針閥

316不銹鋼

截止閥

Φ6mm 316不銹鋼針閥

電功率

AC220V/50HZ/20W

響應(yīng)時(shí)間

氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

準(zhǔn)確度

±1.5%

線性

±0.5~1.5%

重復(fù)精度

±0.2%

接口

Φ6,1/4''

真空系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

 

外型尺寸

600×600×600mm

工作電電壓

220V±10%  50~60HZ

功率

400W

抽氣速率

4Ls

極限真空

4X10-2Pa

實(shí)驗(yàn)真空度

1.0X10-1Pa

容油量

1.1L

進(jìn)氣口口徑

KF25

排氣口口徑

KF25

轉(zhuǎn)速

1450rpm

射頻電源

 

信號頻率

13.56 MHz±0.005%

功率輸出范圍

3W-300W   5W-500W可選

最大反射功率

200W

射頻輸出接口

50 Ω, N-type, female

功率穩(wěn)定度

±0.1%

諧波分量

≤-50dbc

供電電壓

單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ

整機(jī)效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強(qiáng)制風(fēng)冷

TF1200-PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品簡介此款設(shè)備配有Plasma實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng),滑軌式設(shè)計(jì)在操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置,可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力,帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實(shí)用,工藝重復(fù)性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗(yàn)。

主要功能和特點(diǎn):

 

1、利用輝光放電產(chǎn)生等離子體電子激活氣相;

2、提高了氣相反應(yīng)的沉積速率、成膜質(zhì)量;

3、可通過調(diào)整射頻電源頻率來控制沉積速率;

4、能廣泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

 

 

滑軌管式爐技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

石英管尺寸

L1400mm  Φ(60、80、100)

加熱元件

摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲

測溫元件

N型熱電偶

加熱區(qū)長度

440mm  

恒溫區(qū)長度

200mm

工作溫度

≤1100℃

控溫模式

模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報(bào)警功能

控溫精度

±1℃

升溫速率

≤20℃/min

電功率

AC220V/50HZ/3KW

質(zhì)量供氣系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

 

外形尺寸

600x600x600mm

標(biāo)準(zhǔn)量程

50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2;

壓力表測量范圍

-0.1Mpa~0.15Mpa

極限壓力

3MPa

針閥

316不銹鋼

截止閥

Φ6mm 316不銹鋼針閥

電功率

AC220V/50HZ/20W

響應(yīng)時(shí)間

氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

準(zhǔn)確度

±1.5%

線性

±0.5~1.5%

重復(fù)精度

±0.2%

接口

Φ6,1/4''

真空系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

 

 

 

 

 

外型尺寸

600×600×600mm

工作電電壓

220V±10%  50~60HZ

功率

400W

抽氣速率

4Ls

極限真空

4X10-2Pa

實(shí)驗(yàn)真空度

1.0X10-1Pa

容油量

1.1L

進(jìn)氣口口徑

KF25

排氣口口徑

KF25

轉(zhuǎn)速

1450rpm

射頻電源

 

信號頻率

13.56 MHz±0.005%

功率輸出范圍

3W-300W   5W-500W可選

最大反射功率

200W

射頻輸出接口

50 Ω, N-type, female

功率穩(wěn)定度

±0.1%

諧波分量

≤-50dbc

供電電壓

單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ

整機(jī)效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強(qiáng)制風(fēng)冷

 

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