穿透式電子顯微鏡簡(jiǎn)介:1930年*臺(tái)商用電子顯微鏡于英國(guó)建立
穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy:TEM)
A.TEM簡(jiǎn)介
自1930年代*臺(tái)商用電子顯微鏡于英國(guó)建立以來(lái),由于影像解析度受限于所供輸電子能量,隨著高壓設(shè)備之成熟技術(shù)發(fā)展與建立,穿透式電子顯微鏡不斷地進(jìn)步與突破。1938年,穿透式電子顯微鏡,解析度約20~30埃,到1963年,解析度提升至2~3埃;到目前為止,一百萬(wàn)電子伏特(eV)以上之超高電壓穿透式電子顯微鏡也已問(wèn)世(HRTEM)。
因此原子級(jí)的影像解析度早已不再是遙不可及之夢(mèng)想。 對(duì)于近十年來(lái)迅速發(fā)展的半導(dǎo)體制程,以及奈米尺度的*材料,材料的研究已進(jìn)入原子尺度大小,為了觀察如此微小的尺度,新的研究工具也陸續(xù)出現(xiàn)。在這些新的研究工具當(dāng)中,穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy;TEM )可提供材料內(nèi)部的形態(tài)、晶體原子結(jié)構(gòu)…由于TEM具備高解像能力,比一般影像觀察及分析工具*許多,而廣泛地用于材料分析。表一為比較常用顯微鏡的解析度與放大倍率。
附注:解析度與波長(zhǎng)的關(guān)系式
Raleigh‘s Criterion:解析度 S=0.61l/(n×sinq)=0.61l/NA