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更新時(shí)間:2024-08-14 11:37:49瀏覽次數(shù):315評(píng)價(jià)
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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特征
l 紫外、可見(jiàn)、近紅外或MIR波長(zhǎng)范圍的探測(cè)器卡
l 檢測(cè)低至1 nW/cm2的輻射
l 卡上打印的吸收波長(zhǎng)范圍或靈敏度曲線
我們的探測(cè)器卡包括光敏有源區(qū),可以定位紫外、可見(jiàn)光、近紅外(NIR)或中紅外(MIR)激光束及其焦點(diǎn)。為了便于在對(duì)齊過(guò)程中使用,除項(xiàng)目#VRC5外,每張卡都有一個(gè)一直延伸到卡邊緣的檢測(cè)區(qū)域和兩個(gè)用于激光束準(zhǔn)直的雕刻標(biāo)線。
請(qǐng)注意,這些探測(cè)器卡不打算用作激光束塊,在使用激光束時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)陌踩胧?。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱激光安全選項(xiàng)卡。
UV/VIS檢測(cè)卡:250至540 nm
l 不需要充電
l 用于光束準(zhǔn)直的兩個(gè)雕刻網(wǎng)格
l 卡片上印有吸收波長(zhǎng)范圍
l 外形尺寸(寬x高):2.10" x 3.40"
VRC1是一種X用卡大小的檢測(cè)卡,用于觀察250至540nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光。這種耐用塑料卡的前下表面是感光的,由緩慢褪色的磷光體制成,可以輕松定位紫外線(UV)和可見(jiàn)光(通過(guò)540 nm)光束和焦點(diǎn)。由于在使用前不需要對(duì)卡的有源區(qū)充電,因此即使在黑暗的房間中使用卡,CW或脈沖入射光也會(huì)產(chǎn)生發(fā)射。
為了便于在對(duì)齊過(guò)程中使用卡,檢測(cè)區(qū)域一直延伸到卡的邊緣,并包括兩個(gè)用于激光束準(zhǔn)直的雕刻標(biāo)線。這些標(biāo)線由0.004英寸(0.1毫米)寬的線形成,具有兩個(gè)直徑為0.06英寸(1.5毫米)和0.28英寸(7.2毫米)的同心圓,以及0.51英寸(13.0毫米)長(zhǎng)的水平和垂直線。當(dāng)卡片在光源足夠亮的黑暗房間中使用時(shí),可以通過(guò)卡片背面看到激活的光敏區(qū)域的熒光。光敏區(qū)域也可以通過(guò)照射卡片背面來(lái)激活,這在對(duì)齊兩個(gè)光束重疊時(shí)很有用。
VRC1規(guī)格 | |
光譜 | |
吸收波長(zhǎng)范圍 | 250 - 540 nm |
發(fā)射波長(zhǎng)范圍 | 450 - 750 nm |
發(fā)射中心波長(zhǎng) | 580 nm |
靈敏度圖 |
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維度 | |
活動(dòng)區(qū)域 | 2.10" x 1.20" (53.3 mm x 30.5 mm) |
總體的 | 2.10" x 3.40" (53.3 mm x 86.4 mm) |
完整的 |
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可見(jiàn)光發(fā)射性能 | |
發(fā)射需要充電 | 否 |
發(fā)射所需的最小脈沖刺激 | 在337 nm波長(zhǎng)下,脈沖寬度為4 ns時(shí):<8W/ cm2,頻率為20 Hz;<40 W/ cm2,頻率為1 Hz。 |
發(fā)射所需的最小連續(xù)波刺激 | 在450 nm波長(zhǎng)下,小于1nW/cm2; 在365 nm波長(zhǎng)下,小于1 nW/cm2。 |
發(fā)射的持久性 | 6 s 至 4 min |
使發(fā)射淬滅所需的最小刺激 | 在1064 nm波長(zhǎng)下,每次10個(gè)7 ns的脈沖,總功率為2 MW/ cm2。 |
損傷閾值,單次7 ns脈沖 | |
1064 nm | 60 MW/ cm2 |
337 nm | 130 MW/ cm2 |
黑暗的條件。
在移除刺激后,持續(xù)長(zhǎng)度取決于環(huán)境光條件。
VIS/NIR檢測(cè)卡:400至640 nm和800至1700 nm
l 需要可見(jiàn)光充電
l 帶有兩個(gè)用于光束準(zhǔn)直的雕刻式光柵
l 卡片上印有吸收波長(zhǎng)范圍
l 整體尺寸(寬x高):2.10" x3.40"
VRC2是一種X用卡大小的檢測(cè)卡,用于觀察400至640nm或800至1700nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光。這種耐用塑料卡的前下表面是光敏的,由緩慢褪色的磷光體制成,可以輕松定位可見(jiàn)光或近紅外(NIR)光束和焦點(diǎn)。在使用該卡之前,有必要用可見(jiàn)光對(duì)有源區(qū)充電。由于卡需要充電以產(chǎn)生發(fā)射,在操作過(guò)程中,用戶必須在有源區(qū)周?chē)苿?dòng)入射光點(diǎn)的位置,以保持激發(fā)發(fā)射的強(qiáng)度。
為了便于在對(duì)齊過(guò)程中使用卡,檢測(cè)區(qū)域一直延伸到卡的邊緣,并包括兩個(gè)用于激光束準(zhǔn)直的雕刻標(biāo)線。這些標(biāo)線由0.004英寸(0.1毫米)寬的線形成,具有兩個(gè)直徑為0.06英寸(1.5毫米)和0.28英寸(7.2毫米)的同心圓,以及0.51英寸(13.0毫米)長(zhǎng)的水平和垂直線。
VRC2規(guī)格 | |
光譜 | |
吸收波長(zhǎng)范圍 | 400 - 640 nm 800 - 1700 nm |
發(fā)射波長(zhǎng)范圍 | ~580 to 750 nm |
靈敏度圖 |
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維度 | |
活動(dòng)區(qū)域 | 2.10" x 1.20" (53.3 mm x 30.5 mm) |
總體的 | 2.10" x 3.40" (53.3 mm x 86.4 mm) |
完整的 |
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可見(jiàn)光發(fā)射性能 | |
發(fā)射需要充電 | 是 |
發(fā)射所需的最小脈沖刺激 | 在1064 nm波長(zhǎng)下,脈沖寬度為7 ns時(shí),頻率為10 Hz。 |
發(fā)射所需的最小連續(xù)波刺激 | 在808 nm波長(zhǎng)下小于2 nW/cm2 在960 nm波長(zhǎng)下小于175 nW/cm2 在1550 nm波長(zhǎng)下小于100 nW/cm2 |
損傷閾值,單次7 ns脈沖 | |
1064 nm | 35 MW/ cm2 |
a. 黑暗的條件。
NIR檢測(cè)卡:700至1400 nm
l 需要可見(jiàn)光充電
l 靈敏度曲線印在卡片上
l 整體尺寸(寬x高):1.75" x2.50"
VRC5激光觀察卡設(shè)計(jì)用于在700至1400 nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作??ㄆ敳康母泄鈪^(qū)域尺寸為1.50英寸x 0.75英寸,層壓在耐用的透明塑料片之間。在使用卡之前,活動(dòng)區(qū)域必須充滿可見(jiàn)光。由于卡需要充電以產(chǎn)生發(fā)射,在操作過(guò)程中,用戶必須在有源區(qū)周?chē)苿?dòng)入射光點(diǎn)的位置,以保持激發(fā)發(fā)射的強(qiáng)度。
VRC5規(guī)格 | |
光譜 | |
吸收波長(zhǎng)范圍 | 700 - 1400 nm |
峰值發(fā)射波長(zhǎng) | 625 nm |
靈敏度圖 |
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維度 | |
活動(dòng)區(qū)域 | 1.50" x 0.75" (38.1 mm x 19.1 mm) |
總體的 | 1.75" x 2.50" (44.5 mm x 63.5 mm) |
完整的 |
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可見(jiàn)光發(fā)射性能 | |
發(fā)射需要充電 | 是 |
NIR檢測(cè)卡:790至840 nm、870至1070 nm和1500至1590 nm
l 無(wú)需可見(jiàn)光充電
l 帶有兩個(gè)用于光束準(zhǔn)直的雕刻式光柵
l 卡片上印有吸收波長(zhǎng)范圍
l 整體尺寸(寬x高):2.10" x3.40"
VRC4是一種X用卡大小的檢測(cè)卡,用于觀察790至840nm、870至1070nm和1500至1590nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光。這款耐用塑料卡的前下表面是光敏的,由緩慢褪色的磷光體制成,可以輕松定位近紅外(NIR)光束和焦點(diǎn)。由于在使用前不需要對(duì)卡的有源區(qū)充電,因此即使在黑暗的房間中使用卡,CW或脈沖入射光也會(huì)產(chǎn)生發(fā)射。
為了便于在對(duì)齊過(guò)程中使用卡,檢測(cè)區(qū)域一直延伸到卡的邊緣,并包括兩個(gè)用于激光束準(zhǔn)直的雕刻標(biāo)線。這些標(biāo)線由0.004英寸(0.1毫米)寬的線形成,具有兩個(gè)直徑為0.06英寸(1.5毫米)和0.28英寸(7.2毫米)的同心圓,以及0.51英寸(13.0毫米)長(zhǎng)的水平和垂直線。當(dāng)卡片在光源足夠亮的黑暗房間中使用時(shí),可以通過(guò)卡片背面看到激活的光敏區(qū)域的熒光。光敏區(qū)域也可以通過(guò)照射卡片背面來(lái)激活,這在對(duì)齊兩個(gè)光束重疊時(shí)很有用。
VRC4規(guī)格 | |
光譜 | |
吸收波長(zhǎng)范圍 | 790 - 840 nm 870 - 1070 nm 1500 - 1590 nm |
發(fā)射波長(zhǎng)范圍 | ~520 - 580 nm |
靈敏度圖 |
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維度 | |
活動(dòng)區(qū)域 | 2.10" x 1.20" (53.3 mm x 30.5 mm) |
總體的 | 2.10" x 3.40" (53.3 mm x 86.4 mm) |
完整的 |
|
可見(jiàn)光發(fā)射性能 | |
發(fā)射需要充電 | 否 |
可見(jiàn)光發(fā)射,最小刺激 | 在1064 nm波長(zhǎng)下,250 kW/ cm2,脈沖寬度7 ns,頻率10 Hz。 |
可見(jiàn)光發(fā)射,最小連續(xù)波刺激 | 在808 nm波長(zhǎng)下小于2 µW /cm2 在960 nm波長(zhǎng)下小于175 nW/cm2 在1550 nm波長(zhǎng)下小于100 µW /cm2 |
損傷閾值,單次7 ns脈沖 | |
1064 nm | 35 MW/ cm2 |
a. 黑暗的條件。
MIR探測(cè)器卡:1.5至>13.2µm
l 液晶膜在暴露于中紅外光時(shí)會(huì)變色
l 活動(dòng)區(qū)域:2.13" x 1.81"
l 恢復(fù)時(shí)間:<10秒
l 提供兩種環(huán)境溫度范圍的卡:
1. VRC6S: 20至24 °C
2. VRC6H: 25至30 °C
l 整體尺寸(寬x高):2.13" x 3.37"
VRC6S和VRC6H MIR液晶探測(cè)器卡的設(shè)計(jì)可對(duì)1.5µm至至少13.2µm的波長(zhǎng)做出反應(yīng)。探測(cè)器區(qū)域是一層薄薄的熱變色液晶(TLC),這是一種對(duì)溫度敏感的有機(jī)化學(xué)物質(zhì),具有扭曲的螺旋分子結(jié)構(gòu),由聚酯薄膜保護(hù)。MIR光會(huì)改變探測(cè)器區(qū)域的溫度,從而導(dǎo)致顏色變化。檢測(cè)區(qū)域一直延伸到卡的邊緣,以方便在對(duì)齊過(guò)程中使用卡,每張卡都有兩個(gè)雕刻的掩模,用于激光束準(zhǔn)直。由于使用了TLC材料以及探測(cè)器區(qū)域沒(méi)有背襯,這些卡的靈敏度高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品。所達(dá)到的靈敏度取決于房間和LC材料活化溫度之間的溫差。
建議在20至24°C的環(huán)境溫度下使用VRC6S激光卡,當(dāng)TLC材料達(dá)到約23°C時(shí),激光卡開(kāi)始顯示顏色變化。峰值靈敏度和響應(yīng)率出現(xiàn)在22°C的環(huán)境溫度下。探測(cè)器區(qū)域在約23°C以下為黑色,在28°C左右變?yōu)樗{(lán)色/紫色。
對(duì)于高于VRC6S范圍的室溫,VRC6H是理想的選擇。建議在25至30°C的環(huán)境溫度下使用,當(dāng)TLC材料達(dá)到約28°C時(shí)開(kāi)始顯示顏色變化。峰值靈敏度和響應(yīng)率出現(xiàn)在28°C的環(huán)境溫度下。探測(cè)器區(qū)域在約29°C以下為黑色,在33°C左右變?yōu)樗{(lán)色/紫色。
要在光束曝光后恢復(fù)卡片,請(qǐng)將其放在桌面上的平面上(即具有不銹鋼表面的光學(xué)臺(tái))幾分鐘。這些卡片在暴露于更高的激光能量后可能需要更長(zhǎng)的時(shí)間才能恢復(fù),有時(shí)在室溫下顏色變化可能看起來(lái)是Y久性的。如果發(fā)生這種情況,請(qǐng)將卡片放入0至4°C的冰箱中幾分鐘,以加速恢復(fù)。
請(qǐng)注意:這些卡片上的光點(diǎn)大小會(huì)根據(jù)光束功率而變化,如下圖所示。
由1550 nm激光在兩種不同功率密度下以3.3 mm光束在VRC6S卡上產(chǎn)生的光斑:
在2.0 mW/ mm2下,光斑直徑為4.0mm
在10 mW/ mm2下,光斑直徑為8.0mm
型號(hào) | VRC6S | VRC6H |
環(huán)境溫度 | ||
可用范圍 | 20 至 24 °C | 25 至 30 °C |
峰值靈敏度 | 22 °C | 28 °C |
維度 | ||
活動(dòng)區(qū)域 | 2.13" x 1.81" (54.0 mm x 46.0 mm) | |
總體的 | 2.13" x 3.37" (54.0 mm x 85.5 mm) | |
完整的 |
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靈敏度 | ||
最小可檢測(cè)功率密度 | 1550 nm(22°C,環(huán)境溫度)下為0.05 mW/ nm2 | 1550 nm(28°C,環(huán)境溫度)下為0.05 mW/ nm2 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)