哈默納科偏壓離子諧波CSG-45-160-2UH 返回列表頁

使膜層不易脫落，鍍層組織致密，針孔氣泡少。哈默納科偏壓離子諧波CSG-45-160-2UH此外，由于離子鍍的附著性好，使原來在蒸鍍中不能匹配的基片材料和鍍料，可以用離子鍍完成。

   離子鍍比真空鍍的繞鍍性好。離子鍍時蒸發(fā)的鍍料離子，要與氣體分子多次碰撞才能到達基片，導致非面對蒸發(fā)源的基片上也有鍍料離子沉積，從而使基片上的所有暴露表面均能被鍍覆。同時，帶正電荷的鍍料離子會向加有負偏壓的基片各處運動而沉積下來，這也是其繞鍍性好的原因之一。

   離子鍍的可鍍材料相當廣泛，可在金屬或非金屬表面上鍍制金屬或非金屬材料，各種合金、化合物、某些合成材料、哈默納科偏壓離子諧波CSG-45-160-2UH半導體材料、高熔點材料均可鍍覆。目前，離子鍍技術(shù)已用于鍍制耐磨膜、耐熱膜、耐蝕膜、潤滑膜和裝飾膜等。

   用離子鍍方法在切削工具表面鍍氮化欽、碳化欽等硬質(zhì)材料，可以提高*的耐用度。試驗表明，在高速鋼*上用離子鍍鍍氮化欽，*耐用度可提高1一2倍。鍍碳化欽后，*耐用度提高3一8倍。而硬質(zhì)合金*用離子鍍鍍上一層氮化欽或碳化欽，*耐用度可提高2一10倍。