博恩斯坦Bernstein感應(yīng)傳感器 返回列表頁

博恩斯坦Bernstein感應(yīng)傳感器中的電阻應(yīng)變片具有金屬的應(yīng)變效應(yīng)，即在外力作用下產(chǎn)生機(jī)械形變，從而使電阻值隨之發(fā)生相應(yīng)的變化。電阻應(yīng)變片主要有金屬和半導(dǎo)體兩類，金屬應(yīng)變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導(dǎo)體應(yīng)變片具有靈敏度高（通常是絲式、箔式的幾十倍）、橫向效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)。
壓阻式
壓阻式傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)擴(kuò)散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測(cè)量傳感元件，擴(kuò)散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時(shí)，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤其是以測(cè)量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用zui為普遍。
熱電阻
博恩斯坦Bernstein熱電阻測(cè)溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進(jìn)行溫度測(cè)量的。
傳感器
傳感器熱電阻大都由純金屬材料制成，目前應(yīng)用zui多的是鉑和銅，此外，已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。
熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測(cè)量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù)。在溫度檢測(cè)精度要求比較高的場(chǎng)合，這種傳感器比較適用。較為廣泛的熱電阻材料為鉑、銅、鎳等，它們具有電阻溫度系數(shù)大、線性好、性能穩(wěn)定、使用溫度范圍寬、加工容易等特點(diǎn)。用于測(cè)量-200℃～+500℃范圍內(nèi)的溫度。
博恩斯坦Bernstein感應(yīng)傳感器型號(hào)

601.2921.090 D-32457 SRM-UIZ/UIZ-LU-175-E行程開關(guān)
601.2431.883 BCS 16A/500VAC感應(yīng)傳感器
6316318002 MAM-1813-L-1 Operating voltage: 125DVC接近開關(guān)
博恩斯坦Bernstein601.1411.856 SD-U1感應(yīng)傳感器
ENM-SUIZ AHS-V 10A/500VAC集線控制器
F1-SU2Z UN腳踏開關(guān)BERNSTEIN傳感器6011411856
KIB-M18PS/005-KL6V光電開關(guān)
6013812075; SI-U1Z繼電器
SLM-FVTW24DC-51-AR限位開關(guān)
NR 6087387019自動(dòng)控制器
6012441907開關(guān)
KCN-T18PS/012-KLPS12V接近開關(guān)
F1-U1Z NA2 UN 6061600435接近開關(guān)
F1-SU1Z/UV1ZD UN 6161000203接近開關(guān)
F2-SU1Z/SU1Z UN 6062830022接近開關(guān)
6063611026 F3-U1Z/U1Z/U1Z UN接近開關(guān)
631.0432.598接近開關(guān)
F1-U2ZD 6061200007接近開關(guān)
F1-SU1 MI RG 10K2W 6161300327接近開關(guān)
F1-SU1Z UN 6061800012接近開關(guān)
BERNSTEIN傳感器6011411856
2696899015感應(yīng)傳感器
2690000006感應(yīng)傳感器
2600444076感應(yīng)傳感器
SKT-U1Z M3 SKT-SU1Z M3 SKT-A2Z M3 SKT-SA2Z M3
SKI-U1Z M3 SKI-SU1Z M3 SKI-A2Z M3 SKI-UV15Z M3
ENK-U1Z VTU ENK-A2Z VTU ENK-UV15Z VTU