基于柔性PET基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）

三角形單層二硫化鎢（10*10mm）-襯底可選

單層二硫化鎢（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選

材料簡介：二硒化鎢(WSe2)是和石墨烯類似的層狀二維結(jié)構(gòu)薄膜。

單層二硫化錸（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選

尺寸：100*100um德國2D Next主要提供機械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍寶石，CVD金剛石等，可用材料包括M...

基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片將每個石墨烯...

德國2D Next主要提供機械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍寶石，CVD金剛石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS...

超高純 ZrS2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

超高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純 ZrTe3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

超高純 ZrTe3粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純BiTe粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料低維材料在線提供眾多超高純...

超高純BiTe粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純Ta2NiSe5粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

超高純Ta2NiSe5粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

高純Sb2Te3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

超高純Sb2Te3 粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

白云母 MICA muscovite V1 (Muscovite, K2O-Al2O3-SiO2)晶體尺寸：~25mm電學(xué)性能：絕緣體晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)晶胞參...