晶體尺寸：亞毫米大小電學特性：金屬晶體結(jié)構：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90...

晶體尺寸：8毫米電學性能：半導體晶體結(jié)構：單斜磷晶胞參數(shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ...

三硒化鋯晶體（99.995%） ZrSe3 (Zirconium Triselenide)晶體尺寸：~8毫米電學性能：半導體晶體結(jié)構：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = ...

二硒化鉬晶體 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-N型晶體尺寸：~10毫米電學特性：N型半導體晶體結(jié)構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

二硒化鎢晶體 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體，P型晶體結(jié)構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3...

轉(zhuǎn)移二維材料高純聚合物容量：30ml/瓶描述：可以完成300個以上的樣品轉(zhuǎn)移利用光學顯微鏡可以觀察到聚合物表面的單層石墨烯，單層石墨烯的對比度約為3-4%。

機械剝離專用藍膜（38mm）寬度：38mm厚度：80um±9um長度：100M

UniversityWafer 硅片Silicon 100mm diameter, P/Boron, (100) 1-10 ohm-cm 500um SSP S...

1．將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底（襯底可根據(jù)客戶需求選定）2．邊長15um （三角形）片內(nèi)層數(shù)均勻3．襯底上轉(zhuǎn)移3個（數(shù)量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品4．電極間距：...

熱釋放膠帶，熱剝離膠帶，發(fā)泡膠。剝離溫度為90℃~100℃，120℃，150℃，拍的時候，說明哪種溫度，此銷售的膠帶為單面膠帶。用于石墨烯膜、LED、碳納米管、...

CVD石墨烯CVD六方氮化硼異質(zhì)結(jié)石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)：單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上尺寸：1cmx1c...

銅基石墨烯薄膜尺寸：10*5cm層數(shù)：單層/少層/多層（可定制）

高純石墨烯粉末(物理法)Thickness: 1~3nmPurity: 99wt%Layers: 3Bulk density: 0.01~0.02g/mlSiz...

尺 寸：~1 mm電學性能：金屬晶體結(jié)構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =0.246, c = 0.667 nm, α = β = 90°, γ =12...

石墨片（進口/20~25mm） Graphite Flakeflake size: 20~25mm

Gelpak機械剝離專用PF凝膠膜1）“Nominal Working Thickness"僅包含凝膠材料和聚酯基材層。使用前先取下頂部聚乙烯封層。2）由于凝膠...

高定向熱解石墨 HOPG-ZYA-1mm最高質(zhì)量晶體尺寸：橫向~12mm，厚度1mm電學性能：金屬晶體結(jié)構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =0.246, c = ...

六方氮化硼晶體20片裝 hBN(Hexagonal Boron Nitride)-Crystal晶體尺寸：~1mm電學性能：絕緣體/半導體晶體結(jié)構：六邊形晶胞參...

高純度黑磷晶體 Black Phosphorus-Crystal晶體結(jié)構：正斜方晶結(jié)構晶體尺寸：~10mm電學性能：半導體晶體結(jié)構：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0...

單晶顆粒樣品: 最大尺寸1mm純度:99.998%包裝: 真空或氬氣等惰性氣氛保護玻璃瓶巨納黑磷晶體（1000mg）產(chǎn)品規(guī)格：單晶或粉末