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硒化鎵晶體(99.995) 2H-GaSe

參   考   價: 8700.12

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地泰州市

更新時間:2024-06-03 12:36:37瀏覽次數(shù):1273次

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硒化鎵晶體 2H-GaSe(Gallium Selenide)
晶體尺寸:10毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

硒化鎵晶體 2H-GaSe(Gallium Selenide)
晶體尺寸:10毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

X-ray diffraction on a GaSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (001) with h = 4, 6, 8, 10, 12


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal GaSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


Raman spectrum of a single crystal GaSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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