那諾中國(guó)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第11年

18916157635

  • NIE-3000離子束清洗系統(tǒng)

    NIE-3000離子束清洗系統(tǒng)：是一款手動(dòng)放片/取片，但工藝過(guò)程為全自動(dòng)計(jì)算機(jī)控制的臺(tái)式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑等。

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:44:06 對(duì)比
    NIE 離子束清洗機(jī)進(jìn)口離子束清洗設(shè)備離子束干法清洗
  • NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)

    NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:41:54 對(duì)比
    全自動(dòng)PLD系統(tǒng)全自動(dòng)激光脈沖沉積
  • NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)

    NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:39:48 對(duì)比
    進(jìn)口PLD系統(tǒng)脈沖激光沉積系統(tǒng)進(jìn)口PLD價(jià)格脈沖激光燒蝕PLA激光蒸發(fā)鍍膜
  • 全自動(dòng)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

    NEE-4000（A）全自動(dòng)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔配置，樣品臺(tái)位于主腔體，二級(jí)腔體則用于安置電子束源。兩腔體之間的門閥作為預(yù)真空鎖...

    型號(hào)： NEE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:38:02 對(duì)比
    全自動(dòng)電子束蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口全自動(dòng)電子束系統(tǒng)全自動(dòng)E-Baeam系統(tǒng)
  • NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

    NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔體的配置，樣品臺(tái)位于主腔體，二級(jí)腔體則用于安置電子束源。兩個(gè)腔體之間的門閥可以作為預(yù)真...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:36:03 對(duì)比
    NEE-4000電子束蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口電子束蒸發(fā)鍍膜電子束蒸發(fā)鍍膜儀電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備E-Beam
  • NTE-4000（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-4000（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:34:19 對(duì)比
    NTE-4000全自動(dòng)熱蒸鍍進(jìn)口全自動(dòng)熱蒸鍍系統(tǒng)全自動(dòng)熱蒸發(fā)臺(tái)全自動(dòng)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:31:59 對(duì)比
    NTE-4000熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)進(jìn)口熱蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • 全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-3500（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有...

    型號(hào)： NTE-3500（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:30:20 對(duì)比
    NTE-3500全自動(dòng)熱蒸鍍進(jìn)口全自動(dòng)熱蒸鍍系統(tǒng)全自動(dòng)熱蒸發(fā)臺(tái)全自動(dòng)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3500是PC控制的緊湊型立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:28:02 對(duì)比
    NTE-3500熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)熱蒸發(fā)臺(tái)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3000是PC控制的臺(tái)式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:26:28 對(duì)比
    NTE-3000熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)熱蒸發(fā)臺(tái)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)

    NMC-4000（A）全自動(dòng)PAMOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:24:02 對(duì)比
    進(jìn)口全自動(dòng)PAMOCVD進(jìn)口全自動(dòng)PEMOCVD全自動(dòng)等離子MOCVD
  • NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備

    NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:21:32 對(duì)比
    進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
  • NMC-3000等離子輔助MOCVD

    NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:19:13 對(duì)比
    進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
  • NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)

    NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足準(zhǔn)確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:17:16 對(duì)比
    ALD等離子ALDPlasma增強(qiáng)ALD進(jìn)口原子層沉積系統(tǒng)進(jìn)口PEALD系統(tǒng)
  • NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備

    NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:12:32 對(duì)比
    ALD進(jìn)口ALD進(jìn)口全自動(dòng)ALD進(jìn)口全自動(dòng)原子層沉積進(jìn)口沉積設(shè)備
  • NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)

    NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:09:13 對(duì)比
    ALD全自動(dòng)ALD報(bào)價(jià)進(jìn)口全自動(dòng)ALDALD報(bào)價(jià)進(jìn)口ALD報(bào)價(jià)
  • 原子層沉積系統(tǒng)

    NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性...

    型號(hào)： NLD-3000 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:05:13 對(duì)比
    進(jìn)口ALDALD價(jià)格ALD原子層沉積報(bào)價(jià)進(jìn)口ALD報(bào)價(jià)
  • 全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:02:56 對(duì)比
    進(jìn)口全自動(dòng)ICPECVDICP PECVD
  • ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 12:00:49 對(duì)比
    進(jìn)口ICPECVDICPPECVD
  • 全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2023/11/13 11:58:57 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD進(jìn)口全自動(dòng)PECVD等離子化學(xué)氣相沉
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