英格海德分析技術(shù)有限公司

當(dāng)前位置:英格海德分析技術(shù)有限公司>>等離子體-材料表面>>飛行時間二次離子質(zhì)譜儀>>TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀

飛行時間二次離子質(zhì)譜儀

參   考   價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號:TOF-qSIMS

品       牌:其他品牌

廠商性質(zhì):代理商

所  在  地:北京市

更新時間:2023-11-22 10:08:01瀏覽次數(shù):11570

聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)
應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè)
TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀設(shè)計用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用,包括聚合物,藥物,超導(dǎo)體,半導(dǎo)體,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),檢測限低于1ppm。

Hiden TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀設(shè)計用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用,包括聚合物,藥物,超導(dǎo)體,半導(dǎo)體,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),檢測限低于1ppm。


TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析,低入射能力,高入射電流,濺射和分析連續(xù)進(jìn)行,是典型的Dynamic SIMS 動態(tài)SIMS。

飛行時間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時間質(zhì)譜,質(zhì)量數(shù)范圍寬,質(zhì)量分辨率高,且測量速度快(瞬間得到全譜)。離子槍僅需要一次脈沖濺射,即可得到全譜,對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析,且電流小,所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少,靈敏度相比動態(tài)SIMS弱,但成像和表面分析能力強(qiáng),是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。


TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點,可以分析所有的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣材料;對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復(fù)合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴(kuò)展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布,表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分、表面異物殘留(污染物、顆粒物、腐蝕物等)、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷(劃痕、凸起)等有很好的表征能力。


一臺SIMS同時提供四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜:

靜態(tài)SIMS  Static SIMS

動態(tài)SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測限低于ppm

SNMS 離子源,二次中性粒子譜

二次離子質(zhì)譜成像軟件,靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫,二次離子質(zhì)譜后處理軟件

 

飛行時間二次離子質(zhì)譜儀

TOF-qSIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀設(shè)計用于多

二次離子質(zhì)譜儀

離子分析質(zhì)譜儀/飛行時間二次離子質(zhì)譜儀可分析來自固

二次離子質(zhì)譜儀

二次離子質(zhì)譜儀適合做多層薄膜的深度分析,可以做元素

會員登錄

X

請輸入賬號

請輸入密碼

=

請輸驗證碼

收藏該商鋪

X
該信息已收藏!
標(biāo)簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我們將在第一時間回復(fù)您~

以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé),化工儀器網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。

溫馨提示:為規(guī)避購買風(fēng)險,建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

撥打電話
在線留言