美國(guó)EOT的銦鎵砷光電探測(cè)器 返回列表頁(yè)

美國(guó)EOT的銦鎵砷光電探測(cè)器

EOT銦鎵砷光電探測(cè)器，體積小、帶寬>10GHz

內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項(xiàng)

短波近紅外銦鎵砷光電探測(cè)器包含PIN光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。EOT銦鎵砷光電探測(cè)器又叫做EOT銦鎵砷探測(cè)器、EOT近紅外光電探測(cè)器、短波紅外銦鎵砷光電探測(cè)器、短波近紅外銦鎵砷光電探測(cè)器、銦鎵砷PIN光電二極管探測(cè)器、EOT光電探測(cè)器、銦鎵砷光電二極管探測(cè)器等等。

典型包含可見(jiàn)光、近紅外的EOT銦鎵砷光電探測(cè)器的響應(yīng)度如下：

ET-3500、ET-4000適合短波可見(jiàn)光區(qū)域， 3500F、ET-3600、ET-4000F適用于近紅外I區(qū)的應(yīng)用，ET-5000、ET-5000F適用于近紅外II區(qū)。型號(hào)確定的含義：

2代表Silicon，3代表 InGaAs，4代表GaAs，5代表Extended InGaAs，ET是廠家EOT的縮寫(xiě)。

短波近紅外銦鎵砷光電探測(cè)器，三元系材料In_xGa₁-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶體的直接帶隙半導(dǎo)體，其能帶成分因組分的比例不同具有差異，應(yīng)用廣泛。

EOT近紅外光電探測(cè)器端接到示波器的50Ω電阻時(shí)，可以測(cè)量激光的脈沖寬度。當(dāng)銦鎵砷PIN光電二極管探測(cè)器端接到頻譜分析儀的50Ω電阻時(shí)，可以測(cè)量激光的頻率響應(yīng)。

EOT近紅外光電探測(cè)器中，>10GHz光電探測(cè)器自帶由長(zhǎng)壽命鋰電池組成的內(nèi)部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測(cè)器的BNC輸出連接器，可以在示波器或頻譜分析儀處端接50Ω就可以了。

短波近紅外銦鎵砷光電探測(cè)器的上升/下降時(shí)間300ps（典型），影響度0.47A/W@830nm，電源要求直流，帶寬>2GHz，輸出連接器BNC。特點(diǎn)是占地面積小、內(nèi)部電壓偏置、直流至22GHz、可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項(xiàng)。

探測(cè)原理是什么呢？

探測(cè)器在完成光電轉(zhuǎn)化過(guò)程中，不僅給出表征被測(cè)對(duì)象的電壓、電流信號(hào)，同時(shí)也伴隨著無(wú)用噪聲的電壓、電流信號(hào)，這是一種起伏信號(hào)，其大小決定了探測(cè)器的探測(cè)能力。

EOT近紅外光電探測(cè)器的主要指標(biāo)如下：

1）光電流是存在入射光照射下光電探測(cè)器所產(chǎn)生的光生電流，暗電流則為無(wú)光入射的情況下探測(cè)器存在的漏電流。其大小影響著光接收機(jī)的靈敏度大小，是探測(cè)器的主要指標(biāo)之一。暗電流包括以下幾種：盡區(qū)中邊界的少子擴(kuò)散電流、流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流、表面泄漏電流。EOT近紅外光電探測(cè)器的暗電流<0.1nA。

2）探測(cè)器的暗電流與噪聲是分不開(kāi)的，通常光電探測(cè)器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：暗電流噪聲、散粒噪聲、熱噪聲。EOT近紅外光電探測(cè)器的噪聲<0.01pW/Hz。

EOT銦鎵砷探測(cè)器特點(diǎn)：

-占地面積小

-內(nèi)部電壓偏置

-帶寬>10GHz

-直流至22GHz

-可選外墻插入式電源、光纖耦合或自由空間選項(xiàng)

EOT近紅外光電探測(cè)器應(yīng)用：

-監(jiān)控調(diào)Q激光器的輸出

-監(jiān)控鎖模激光器的輸出

-監(jiān)測(cè)外部調(diào)制連續(xù)激光器的輸出

-高頻、外差應(yīng)用

-時(shí)域和頻率響應(yīng)測(cè)量

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