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產(chǎn)品型號(hào)PULSELAS-P-1064-100
品 牌Alphalas/德國
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間:2025-10-09 08:57:26瀏覽次數(shù):36次
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1064~266nm,亞納秒,1.5mJ,100kHz,被動(dòng)調(diào)Q的Alphalas微片激光器
Alphalas亞納秒被動(dòng)調(diào)Q微片激光器采用專有的微芯片設(shè)計(jì),微片激光腔是長期對準(zhǔn)的,因此非常穩(wěn)定。DPSS微片激光器脈沖寬度低于1ns,峰值功率高,波長為1064nm,并具有出色的TEM??光束輪廓。Alphalas被動(dòng)調(diào)Q微芯片激光器通常通過內(nèi)置頻率發(fā)生器和外部TTL觸發(fā),還可以選擇轉(zhuǎn)換為綠光(532 nm)和紫外光(355nm、266nm)。
PULSELAS-P微片激光器系列分為常規(guī)版的1064nm微片激光器PULSELAS-P-1064-100, PULSELAS-P-1064-200和PULSELAS-P-1064-300-FC,高能量版的1064nm微片激光器PULSELAS-P-1064-100-HE和PULSELAS-P-1064-150-HE,以及高功率版的1064nm微片激光器PULSELAS-P-1064-100-HP和PULSELAS-P-1064-400-HP。高能型號(hào)的PULSELAS-P-1064-150-HE亞納秒微片激光器提供超過1.5mJ的脈沖能量,脈沖持續(xù)時(shí)間為1ns,從而產(chǎn)生最高峰值功率>1.5mW。Alphalas被動(dòng)調(diào)Q微芯片激光器的重復(fù)頻率高達(dá)100 kHz,平均功率范圍從100mW-1W。
亞納秒微芯片激光器因其可靠且堅(jiān)固的微芯片設(shè)計(jì)非常適合優(yōu)良的OEM工業(yè)應(yīng)用。被動(dòng)調(diào)Q微芯片激光器緊湊的設(shè)計(jì)幾乎適用于任何系統(tǒng)集成,其中的光纖泵浦選項(xiàng),如亞納秒微片激光器中的PULSELAS-P-1064-300-FC可以提供了更緊湊和更靈活的選擇。Alphalas微片激光器的應(yīng)用范圍極其廣泛,從光子晶體光纖中的超連續(xù)譜生成,到內(nèi)燃機(jī)點(diǎn)火,再到微加工。

Alphalas亞納秒被動(dòng)調(diào)Q微片激光器的主要特點(diǎn):
-被動(dòng)調(diào)Q
-緊湊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
-專有的微芯片設(shè)計(jì)
-最高峰值功率>1.5mW和脈沖能量>1.5mJ,商用級(jí),直接來自振蕩器
-重復(fù)頻率高達(dá)100kHz
-平均功率高達(dá)1W
-外部觸發(fā),低抖動(dòng)
-頻率轉(zhuǎn)換為532nm,355nm和266nm可選
-其他波長(例如946nm,1342nm)可根據(jù)要求提供納秒脈沖
PULSELAS-P微片激光器的主要應(yīng)用:
-材料加工
-微加工
-極硬材料(如鉆石)的打標(biāo)和切割
-非線性光學(xué)
-超連續(xù)譜產(chǎn)生
-時(shí)間分辨熒光測量
-DNA分析
-激光雷達(dá)和激光測距
-污染監(jiān)測
-激光誘導(dǎo)擊穿光譜 (LIBS)
-爆炸物、內(nèi)燃機(jī)和混合氣體的點(diǎn)火
Alphalas被動(dòng)調(diào)Q微芯片激光器的標(biāo)準(zhǔn)品參數(shù):
Alphalas亞納秒被動(dòng)調(diào)Q微片激光器所有型號(hào)均提供倍頻、三倍頻和四倍頻選項(xiàng),波長分別為532nm、355nm和266nm,還可根據(jù)客戶要求提供特定參數(shù)。
| 型號(hào) | PULSELAS-P- 1064-100 | PULSELAS-P- 1064-200 | PULSELAS-P- 1064-300-FC | PULSELAS-P- 1064-300-HP | PULSELAS-P- 1064-400-HP | PULSELAS-P- 1064-100-HE | PULSELAS-P- 1064-150-HE | 
| 波長(nm) | 1064 | ||||||
| 脈沖能量(μJ,±10%) | 6-10 @5kHz | 6-10 @5kHz | 15-20 @5kHz | 120 @1kHz | 400 @100Hz | 1000 @100Hz | 1500 @100Hz | 
| 平均功率(mW) | Typ.100 @10kHz | Typ.200 @20kHz | Typ.300 @20kHz | Typ.150 @1kHz | Typ.40 @100Hz | Typ.100 @100Hz | Typ.150 @100Hz | 
| 脈沖寬度(ps) | Typ.800 | Typ.900 | Typ.1000 | Typ.900 | Typ.1100 | ||
| 重復(fù)頻率(kHz) | Typ.10 | Typ.20 | Typ.15 | Max.2 | Max0.15 | 0-0.1 | |
| 光束輪廓 | TEM?? | ||||||
| 偏振比 | >100 : 1 | ||||||
| 光束直徑(mm) | 0.3 | 0.4 | 0.3 | ||||
| 光束發(fā)散角(mrad全角) | Typ.6 | ||||||
| 功率不穩(wěn)定性(%rms, 1小時(shí)) | <2 | ||||||
| 散熱器工作溫度(℃) | +18…+30 | ||||||
| 激光頭尺寸(W×H×L, mm3) | 40x52x90 | 40x52x140 | |||||
| 包含LD和TEC驅(qū)動(dòng)器 (W×H×L, mm3) | LDD1-1T-D 105x65x100 | LDD1-1T-D 105x65x200 | LDF-30-P 360x160x375 | ||||
| 工作溫度 (°C) | +18…+30 | ||||||
| 無濕氣儲(chǔ)存溫度 (°C) | -10…+50 | ||||||
注釋:由于固有的激光動(dòng)力學(xué)特性,在3-5kHz以上頻率下, DPSS微片激光器可能出現(xiàn)雙/多振幅特征。振幅交替變化,跳變幅度為10-20%。每種脈沖類型的穩(wěn)定性均優(yōu)于1%rms。
1)提供外部觸發(fā)選項(xiàng)和內(nèi)部頻率發(fā)生器選項(xiàng),頻率最高可達(dá) 5 kHz。
2)內(nèi)部和外部觸發(fā)器均為標(biāo)準(zhǔn)配置。
3)高能量和高功率型號(hào)亞納秒微芯片激光器的激光頭采用光纖泵浦。激光二極管安裝在LDF-30-P型號(hào)光纖耦合激光二極管中,并配有驅(qū)動(dòng)器。
4)DPSS微片激光器PULSELAS-P-1064-100, PULSELAS-P-1064-200, PULSELAS-P-1064-300-FC提供?20×40mm光纖泵浦激光頭。
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