深圳維爾克斯光電有限公司
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當(dāng)前位置:深圳維爾克斯光電有限公司>>光學(xué)鏡片及配件>>光電探測(cè)器>> IA35S500S4iInAs紅外探測(cè)器,LC

InAs紅外探測(cè)器,LC

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)IA35S500S4i

品       牌Laser Components

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間:2025-10-11 17:52:51瀏覽次數(shù):50次

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應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
LASER COMPONENTS的InAs紅外探測(cè)器,LC具有峰值響應(yīng)度≥1.05 A/W,常溫下峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為2.8μm,在900nm、2800nm、3200nm下響應(yīng)度典型值為0.1、1.05和0.90A/W。高溫度穩(wěn)定性等特點(diǎn)。IA35探測(cè)器工作原理是光伏的,它的有源區(qū)域直徑為500μm,20%截止波長(zhǎng)為3.5μm。其中的IA35S500S4i是一款高質(zhì)量且價(jià)格實(shí)惠的組件。

900~3500nm , 直徑500μm,峰值響應(yīng)度≥1.05 A/W,InAs紅外探測(cè)器


LASER COMPONENTS推出的IA35系列是一種基于異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、專(zhuān)為常溫工況打造的高性能光電二極管。IA35系列屬于InAs紅外探測(cè)器,LC ,該系列旨在對(duì)LASER COMPONENTS廣受歡迎的IG26系列擴(kuò)頻InGaAs光電二極管的光譜覆蓋進(jìn)行有力補(bǔ)充,共同構(gòu)成更全面的LASER COMPONENTS 寬波段紅外探測(cè)器解決方案。IA35系列紅外探測(cè)器采用光伏工作原理,有源區(qū)域直徑達(dá)500μm,例如型號(hào)IA35S500S4i就是此寬波段InAs光電二極管的代表產(chǎn)品。

InAs紅外探測(cè)器,LC 的主要用于中紅外波段的光電探測(cè),相比于InGaAs型探測(cè)器,InAs紅外探測(cè)器,可在室溫下工作并且具有擁有更大的并聯(lián)阻抗與更長(zhǎng)的截止波長(zhǎng)。InAs寬波段紅外探測(cè)器主要應(yīng)用于非接觸式溫度測(cè)量、激光檢測(cè)、分光光度計(jì)等領(lǐng)域。
    900~3500nm InAs光電二極管在常溫下峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為2.8μm,在900nm、2800nm、3200nm下響應(yīng)度典型值為0.1、1.050.90A/WLASER COMPONENTS的光電二極管采用了創(chuàng)新的異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),基于InAs襯底匹配優(yōu)化,紅外InAs光電探測(cè)器成為響應(yīng)范圍覆蓋900~3500nm的寬波段InAs光電探測(cè)器。
    這款InAs紅外光電探測(cè)器是高性價(jià)比的優(yōu)質(zhì)元件。相較于傳統(tǒng)紅外探測(cè)器制造商的InAs產(chǎn)品,InAs寬波段光電二極管在感光面積顯著擴(kuò)大四倍的同時(shí),并聯(lián)阻抗值實(shí)現(xiàn)雙倍提升,這意味著更低的暗電流噪聲,特別適合要求高靈敏度的應(yīng)用場(chǎng)合。這些光電探測(cè)器設(shè)計(jì)合理,能提供良好的響應(yīng)速度,滿足大多數(shù)InAs紅外光電探測(cè)器的實(shí)用需求。

總的來(lái)說(shuō),900~3500nm InAs光電二極管作為砷化銦InAs探測(cè)器和出色的InAs寬波段光電二極管,憑借其常溫工作、大面積感光、高阻抗、寬光譜響應(yīng)等特性,成為高性能、紅外InAs光電探測(cè)器的理想選擇之一。


InAs紅外探測(cè)器,LC


InAs寬波段紅外探測(cè)器主要應(yīng)用:

-非接觸式溫度測(cè)量

-激光檢測(cè)

-分光光度計(jì)

-氣體成分分析


900~3500nm InAs探測(cè)器,LASER COMPONENTS的核心特性:

-InAs紅外光電探測(cè)器峰值響應(yīng)度:≥1.05 A/W

-峰值響應(yīng)度80%下典型光譜范圍:約900nm至約3500nm

-InAs寬波段光電二極管并聯(lián)阻抗:典型值700Ω

-20%截止波長(zhǎng)≥3.5m

溫度穩(wěn)定性

-InAs光電二極管有源區(qū)域直徑達(dá)500μm


InAs寬波段紅外探測(cè)器常溫25℃下InAs光學(xué)特性技術(shù)參數(shù):

-a:批次抽檢參數(shù)

-b:100%全測(cè)參數(shù)

型號(hào)編碼

有效光束直徑(μm)

20%截止波長(zhǎng)a (μm)

峰值響應(yīng)波長(zhǎng)a(μm)

峰值響應(yīng)度a(A/W)

900nm響應(yīng)度a(A/W)

2800nm響應(yīng)度a(A/W)

3200nm響應(yīng)度a(A/W)

典型值

最小值

典型值

最小值

典型值

最小值

典型值

最小值

典型值

IA35S500S4i

500

3.50

2.8

0.95

1.08

n.a.

0.1

0.95

1.05

n.a.

0.90

常溫25℃下900~3500nm InAs探測(cè)器,LASER COMPONENTS光電特性技術(shù)參數(shù):

-a:批次抽檢參數(shù)

-b:100%全測(cè)參數(shù)

型號(hào)編碼

有效光束直徑(μm)

偏壓10mV下并聯(lián)阻抗b(Ohm)

偏壓0.1V下暗電流b(mA)

D* 峰值a(cm Hz?/W)

NEP峰值a(W/ Hz?)

偏壓0V下結(jié)電容a(pF)

最小值

典型值

典型值

最大值

典型值

典型值

典型值

IA35S500S4i

500

450

700

0.15

1

1.0E10

6.0E-12

1000

900~3500nm InAs光電二極管絕對(duì)最大額定值參數(shù):

    -*ANSI/ESD STM5.1-2007

參數(shù)項(xiàng)目

最小值

最大值

存儲(chǔ)溫度(°C)

-55

+80

工作溫度(°C)

-40

+60

連續(xù)波反向偏壓(V)

-

0.25

連續(xù)波正向電流(mA)

-

10

5秒焊接溫度(°C)

-

260

ESD損傷閾值,HBM類(lèi)型1A* (V)

0

<250

LASER COMPONENTS 寬波段紅外探測(cè)器均中的IA35S500S4i為帶藍(lán)寶石窗口的TO-46封裝。砷化銦InAs探測(cè)器的的帶隙能量約為0.35eV。

作為LASER COMPONENTS寬波段紅外探測(cè)器的核心組件,這款砷化銦InAs探測(cè)器憑借其出色的光電特性,充分展現(xiàn)了紅外InAs光電探測(cè)器在高阻抗、低暗電流和優(yōu)異噪聲抑制方面的水平。這些量化數(shù)據(jù)不僅印證了其感光面積擴(kuò)大和噪聲降低的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),還使其在嚴(yán)苛環(huán)境下工作溫度-40~+60°C范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。



900~3500nm InAs探測(cè)器,LASER COMPONENTS響應(yīng)與暗電流的溫度依賴性曲線:

InAs紅外探測(cè)器,LC



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