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| 參 考 價(jià) | 面議 | 
產(chǎn)品型號(hào)IA35S500S4i
品 牌Laser Components
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間:2025-10-11 17:52:51瀏覽次數(shù):50次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 | 
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900~3500nm , 直徑500μm,峰值響應(yīng)度≥1.05 A/W,InAs紅外探測(cè)器
LASER COMPONENTS推出的IA35系列是一種基于異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、專(zhuān)為常溫工況打造的高性能光電二極管。IA35系列屬于InAs紅外探測(cè)器,LC ,該系列旨在對(duì)LASER COMPONENTS廣受歡迎的IG26系列擴(kuò)頻InGaAs光電二極管的光譜覆蓋進(jìn)行有力補(bǔ)充,共同構(gòu)成更全面的LASER COMPONENTS 寬波段紅外探測(cè)器解決方案。IA35系列紅外探測(cè)器采用光伏工作原理,有源區(qū)域直徑達(dá)500μm,例如型號(hào)IA35S500S4i就是此寬波段InAs光電二極管的代表產(chǎn)品。
InAs紅外探測(cè)器,LC 的主要用于中紅外波段的光電探測(cè),相比于InGaAs型探測(cè)器,InAs紅外探測(cè)器,可在室溫下工作并且具有擁有更大的并聯(lián)阻抗與更長(zhǎng)的截止波長(zhǎng)。InAs寬波段紅外探測(cè)器主要應(yīng)用于非接觸式溫度測(cè)量、激光檢測(cè)、分光光度計(jì)等領(lǐng)域。
    900~3500nm InAs光電二極管在常溫下峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為2.8μm,在900nm、2800nm、3200nm下響應(yīng)度典型值為0.1、1.05和0.90A/W。LASER COMPONENTS的光電二極管采用了創(chuàng)新的異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),基于InAs襯底匹配優(yōu)化,紅外InAs光電探測(cè)器成為響應(yīng)范圍覆蓋900~3500nm的寬波段InAs光電探測(cè)器。
    這款InAs紅外光電探測(cè)器是高性價(jià)比的優(yōu)質(zhì)元件。相較于傳統(tǒng)紅外探測(cè)器制造商的InAs產(chǎn)品,InAs寬波段光電二極管在感光面積顯著擴(kuò)大四倍的同時(shí),并聯(lián)阻抗值實(shí)現(xiàn)雙倍提升,這意味著更低的暗電流噪聲,特別適合要求高靈敏度的應(yīng)用場(chǎng)合。這些光電探測(cè)器設(shè)計(jì)合理,能提供良好的響應(yīng)速度,滿足大多數(shù)InAs紅外光電探測(cè)器的實(shí)用需求。
總的來(lái)說(shuō),900~3500nm InAs光電二極管作為砷化銦InAs探測(cè)器和出色的InAs寬波段光電二極管,憑借其常溫工作、大面積感光、高阻抗、寬光譜響應(yīng)等特性,成為高性能、紅外InAs光電探測(cè)器的理想選擇之一。

InAs寬波段紅外探測(cè)器主要應(yīng)用:
-非接觸式溫度測(cè)量
-激光檢測(cè)
-分光光度計(jì)
-氣體成分分析
900~3500nm InAs探測(cè)器,LASER COMPONENTS的核心特性:
-InAs紅外光電探測(cè)器峰值響應(yīng)度:≥1.05 A/W
-峰值響應(yīng)度80%下典型光譜范圍:約900nm至約3500nm
-InAs寬波段光電二極管并聯(lián)阻抗:典型值700Ω
-20%截止波長(zhǎng)≥3.50μm
溫度穩(wěn)定性
-InAs光電二極管有源區(qū)域直徑達(dá)500μm
InAs寬波段紅外探測(cè)器常溫25℃下InAs光學(xué)特性技術(shù)參數(shù):
-a:批次抽檢參數(shù)
-b:100%全測(cè)參數(shù)
| 型號(hào)編碼 | 有效光束直徑(μm) | 20%截止波長(zhǎng)a (μm) | 峰值響應(yīng)波長(zhǎng)a(μm) | 峰值響應(yīng)度a(A/W) | 900nm響應(yīng)度a(A/W) | 2800nm響應(yīng)度a(A/W) | 3200nm響應(yīng)度a(A/W) | ||||
| 典型值 | 最小值 | 典型值 | 最小值 | 典型值 | 最小值 | 典型值 | 最小值 | 典型值 | |||
| IA35S500S4i | 500 | 3.50 | 2.8 | 0.95 | 1.08 | n.a. | 0.1 | 0.95 | 1.05 | n.a. | 0.90 | 
常溫25℃下900~3500nm InAs探測(cè)器,LASER COMPONENTS光電特性技術(shù)參數(shù):
-a:批次抽檢參數(shù)
-b:100%全測(cè)參數(shù)
| 型號(hào)編碼 | 有效光束直徑(μm) | 偏壓10mV下并聯(lián)阻抗b(Ohm) | 偏壓0.1V下暗電流b(mA) | D* 峰值a(cm Hz?/W) | NEP峰值a(W/ Hz?) | 偏壓0V下結(jié)電容a(pF) | ||
| 最小值 | 典型值 | 典型值 | 最大值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||
| IA35S500S4i | 500 | 450 | 700 | 0.15 | 1 | 1.0E10 | 6.0E-12 | 1000 | 
900~3500nm InAs光電二極管絕對(duì)最大額定值參數(shù):
-*ANSI/ESD STM5.1-2007
| 參數(shù)項(xiàng)目 | 最小值 | 最大值 | 
| 存儲(chǔ)溫度(°C) | -55 | +80 | 
| 工作溫度(°C) | -40 | +60 | 
| 連續(xù)波反向偏壓(V) | - | 0.25 | 
| 連續(xù)波正向電流(mA) | - | 10 | 
| 5秒焊接溫度(°C) | - | 260 | 
| ESD損傷閾值,HBM類(lèi)型1A* (V) | 0 | <250 | 
LASER COMPONENTS 寬波段紅外探測(cè)器均中的IA35S500S4i為帶藍(lán)寶石窗口的TO-46封裝。砷化銦InAs探測(cè)器的的帶隙能量約為0.35eV。
作為LASER COMPONENTS寬波段紅外探測(cè)器的核心組件,這款砷化銦InAs探測(cè)器憑借其出色的光電特性,充分展現(xiàn)了紅外InAs光電探測(cè)器在高阻抗、低暗電流和優(yōu)異噪聲抑制方面的高水平。這些量化數(shù)據(jù)不僅印證了其感光面積擴(kuò)大和噪聲降低的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),還使其在嚴(yán)苛環(huán)境下工作溫度-40~+60°C范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
900~3500nm InAs探測(cè)器,LASER COMPONENTS響應(yīng)與暗電流的溫度依賴性曲線:

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